V5SiB2

高熵材料 HEA 传统材料 TRA

MP-ID: mp-10126 · 空间群: I4/mcm (#140)

Materials Project API

基础信息

化学式

V5SiB2

MP-ID

mp-10126

元素数

位点数

密度

5.6919

g/cm³

体积

177.62

Å³

晶胞参数 a

5.7602

晶胞参数 b

5.7602

晶胞参数 c

6.7266

α 角

115.35

β 角

115.35

γ 角

90.00

空间群

I4/mcm

点群

4/mmm

晶体系统

Tetragonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
16.56	5.3533	4.5	(0,0,1)
21.82	4.0732	12.1	(1,1,-1)
21.82	4.0730	12.1	(1,-1,0)
27.52	3.2415	4.8	(1,1,0)
27.52	3.2415	4.8	(1,1,-2)
27.52	3.2415	4.8	(1,-1,-1)
27.52	3.2414	4.8	(1,-1,1)
31.05	2.8801	6.6	(0,2,-1)
31.05	2.8801	6.6	(2,0,-1)
33.48	2.6766	74.2	(0,0,2)
35.39	2.5363	11.0	(0,2,0)
35.39	2.5363	11.0	(2,0,-2)
35.39	2.5363	11.0	(2,0,0)
35.39	2.5363	11.0	(0,2,-2)
35.85	2.5046	49.2	(1,2,-1)
35.85	2.5046	49.1	(2,1,-2)
35.85	2.5046	49.1	(2,1,-1)
35.85	2.5046	49.1	(1,2,-2)
35.85	2.5045	49.2	(1,-2,0)
35.85	2.5045	49.1	(2,-1,-1)
35.86	2.5045	49.1	(2,-1,0)
35.86	2.5045	49.1	(1,-2,1)
40.32	2.2369	61.4	(1,1,1)
40.32	2.2369	61.4	(1,1,-3)

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能量属性

形成能/原子

-0.69229

eV/atom

能量/原子

-8.71775

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-12.4809

eV/atom

体积/原子

11.10

Å³

c/a 比

1.1678

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

0.0000

μB

磁有序

Unknown

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

组成概览

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

V · 0.625

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.375

间隙分数

0.375

高熵合金特征

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

0.9003

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

7.4847

J/mol·K

Ω 参数

0.3056

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

15.430%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.1805

越小混合越稳定

VEC

4.375

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-52.956

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8194

固溶体倾向

相趋势

传统材料特征

ROM 混合特征雷达

评级与分类

评级 Tier

评分

0.765

家族

Interstitial Alloy

基质元素

V · 0.625

关联任务

关联的计算任务 ID（5 个）

aaadmysx aaadsuhi aaaelkys aaaetwbz aaafieqz

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-10126

参考引用

The crystal structure and related material properties of V5SiB2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-10126, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_V5SiB2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   5.76016551
_cell_length_b   5.76016906
_cell_length_c   6.72663244
_cell_angle_alpha   115.35116341
_cell_angle_beta   115.35275449
_cell_angle_gamma   89.99740325
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V5SiB2
_chemical_formula_sum   'V10 Si2 B4'
_cell_volume   177.61838463
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.19309438  0.03228714  0.72538327  1.0
  V  V1  1  0.03228912  0.53229063  0.72538854  1.0
  V  V2  1  0.69311511  0.19311942  0.72536021  1.0
  V  V3  1  0.96771088  0.46770937  0.27461146  1.0
  V  V4  1  0.53223517  0.69312145  0.72535585  1.0
  V  V5  1  0.80690562  0.96771286  0.27461673  1.0
  V  V6  1  0.46776483  0.30687855  0.27464415  1.0
  V  V7  1  0.30688489  0.80688058  0.27463979  1.0
  V  V8  1  0.50000000  0.50000000  -0.00000000  1.0
  V  V9  1  -0.00000000  0.00000000  -0.00000000  1.0
  Si  Si10  1  0.74999713  0.75000198  0.50000036  1.0
  Si  Si11  1  0.25000287  0.24999802  0.49999964  1.0
  B  B12  1  0.61513497  0.11513719  -0.00000597  1.0
  B  B13  1  0.88485160  0.61514294  -0.00000737  1.0
  B  B14  1  0.11514840  0.38485706  1.00000737  1.0
  B  B15  1  0.38486503  0.88486281  1.00000597  1.0

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