GaB3N4
弹性数据 ELAMP-ID: mp-1019740 · 空间群: P-43m (#215)
基础信息
化学式
GaB3N4
MP-ID
mp-1019740
元素数
3
位点数
8
密度
4.5188
g/cm³
体积
58.13
ų
晶胞参数 a
3.8737
Å
晶胞参数 b
3.8737
Å
晶胞参数 c
3.8737
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
P-43m
点群
-43m
晶体系统
Cubic
Bravais 格子
cP
稳定性
No
堆积分数
0.5236
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 11）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 22.96 | 3.8737 | 85.5 | (1,0,0) |
| 32.69 | 2.7391 | 100.0 | (1,1,0) |
| 40.33 | 2.2365 | 99.2 | (1,1,1) |
| 46.91 | 1.9369 | 9.7 | (2,0,0) |
| 52.85 | 1.7324 | 60.0 | (2,1,0) |
| 58.35 | 1.5814 | 37.4 | (2,1,1) |
| 68.51 | 1.3696 | 42.6 | (2,2,0) |
| 73.32 | 1.2912 | 22.7 | (2,2,1) |
| 78.00 | 1.2250 | 14.3 | (3,1,0) |
| 82.61 | 1.1680 | 29.6 | (3,1,1) |
| 87.17 | 1.1182 | 3.3 | (2,2,2) |
能量属性
形成能/原子
-0.82752
eV/atom
能量/原子
-9.57713
eV/atom
凸包距离
0.3997
eV/atom
未修正能量
-7.7316
eV/atom
体积/原子
7.27
ų
c/a 比
1.0000
电子属性
金属性
非金属
带隙
3.711
eV
直接带隙
Yes
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
KVRH
302.943
GPa
GVRH
232.977
GPa
杨氏模量 E
556.319
GPa
泊松比 ν
0.194
Pugh 比 K/G
1.300
维氏硬度估算
32.684
GPa
韧性
Ductile
各向异性
0.165
拉梅 λ
147.625
GPa
特征分析
组成概览
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
N · 0.500
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.500
间隙分数
0.875
弹性数据特征
弹性模量对比 (GPa)
弹性特征
弹性各向异性 AU
0.1650
均匀泊松比 ν
0.1940
Debye 温度
1,217.3
K
声速
7,921.8
m/s
均匀度
0.1940
关联任务
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-1019740
参考引用
The crystal structure and related material properties of GaB3N4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1019740, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_GaB3N4
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 3.87371000
_cell_length_b 3.87371000
_cell_length_c 3.87371000
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural GaB3N4
_chemical_formula_sum 'Ga1 B3 N4'
_cell_volume 58.12745575
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ga Ga0 1 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1.0
B B1 1 0.50000000 0.50000000 0.00000000 1.0
B B2 1 0.50000000 0.00000000 0.50000000 1.0
B B3 1 0.00000000 0.50000000 0.50000000 1.0
N N4 1 0.72747600 0.72747600 0.27252400 1.0
N N5 1 0.72747600 0.27252400 0.72747600 1.0
N N6 1 0.27252400 0.72747600 0.72747600 1.0
N N7 1 0.27252400 0.27252400 0.27252400 1.0
