HfGa5Ni

高熵材料 HEA 传统材料 TRA 弹性数据 ELA

MP-ID: mp-1025176 · 空间群: P4/mmm (#123)

Materials Project API

基础信息

化学式

HfGa5Ni

MP-ID

mp-1025176

元素数

位点数

密度

8.4497

g/cm³

体积

115.12

Å³

晶胞参数 a

4.2079

晶胞参数 b

4.2079

晶胞参数 c

6.5017

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

90.00

空间群

P4/mmm

点群

4/mmm

晶体系统

Tetragonal

Bravais 格子

稳定性

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
13.62	6.5017	10.9	(0,0,1)
21.11	4.2079	25.3	(1,0,0)
25.21	3.5326	1.4	(1,0,1)
27.44	3.2509	1.2	(0,0,2)
33.11	2.7056	42.6	(1,1,1)
34.88	2.5726	14.2	(1,0,2)
41.13	2.1949	100.0	(1,1,2)
41.67	2.1672	13.3	(0,0,3)
42.99	2.1040	52.4	(2,0,0)
45.30	2.0018	2.4	(2,0,1)
48.37	1.8818	5.7	(2,1,0)
56.50	1.6286	7.1	(2,1,2)
56.63	1.6254	5.5	(0,0,4)
61.12	1.5162	2.8	(1,0,4)
61.42	1.5096	16.7	(2,0,3)
62.42	1.4877	16.8	(2,2,0)
65.43	1.4265	3.4	(1,1,4)
66.68	1.4026	1.1	(3,0,0)
72.51	1.3036	8.9	(3,1,1)
73.54	1.2879	1.6	(3,0,2)
73.65	1.2863	9.9	(2,0,4)
77.51	1.2315	29.7	(3,1,2)
77.62	1.2301	2.8	(2,1,4)
77.88	1.2265	8.3	(2,2,3)

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能量属性

形成能/原子

-0.34553

eV/atom

能量/原子

-4.75665

eV/atom

凸包距离

0.0268

eV/atom

未修正能量

-4.7567

eV/atom

体积/原子

16.45

Å³

c/a 比

1.5451

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0027

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000020

μB/Å³

弹性属性

K_VRH

90.233

GPa

G_VRH

32.425

GPa

杨氏模量 E

86.870

GPa

泊松比 ν

0.340

Pugh 比 K/G

2.783

维氏硬度估算

1.622

GPa

韧性

Brittle

各向异性

0.505

拉梅 λ

68.616

GPa

特征分析

组成概览

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ga · 0.714

元素家族

PostTransition-Noble

溶质分数

0.286

间隙分数

0.000

高熵合金特征

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

0.7963

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

6.6205

J/mol·K

Ω 参数

0.3087

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

7.164%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.1875

越小混合越稳定

VEC

4.143

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-17.613

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7248

固溶体倾向

相趋势

传统材料特征

ROM 混合特征雷达

评级与分类

评级 Tier

评分

0.638

家族

Ga-rich Multi-Component

基质元素

Ga · 0.714

弹性数据特征

弹性模量对比 (GPa)

弹性特征

弹性各向异性 A^U

0.5050

均匀泊松比 ν

0.3400

Debye 温度

257.4

声速

2,199.4

m/s

均匀度

0.3400

关联任务

关联的计算任务 ID（5 个）

aaaddknv aaadmmfg aaadsukx aaaeurjz aaafwygd

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-1025176

参考引用

The crystal structure and related material properties of HfGa5Ni were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1025176, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_HfGa5Ni
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.20789200
_cell_length_b   4.20789200
_cell_length_c   6.50173200
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   HfGa5Ni
_chemical_formula_sum   'Hf1 Ga5 Ni1'
_cell_volume   115.12197545
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Hf  Hf0  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga1  1  0.00000000  0.50000000  0.29744200  1.0
  Ga  Ga2  1  0.00000000  0.50000000  0.70255800  1.0
  Ga  Ga3  1  0.50000000  0.00000000  0.29744200  1.0
  Ga  Ga4  1  0.50000000  0.00000000  0.70255800  1.0
  Ga  Ga5  1  0.50000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Ni  Ni6  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0

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