HoGa4Ni

高熵材料 HEA 传统材料 TRA

MP-ID: mp-30645 · 空间群: Cmcm (#63)

Materials Project API

基础信息

化学式

HoGa4Ni

MP-ID

mp-30645

元素数

位点数

密度

8.3722

g/cm³

体积

199.34

Å³

晶胞参数 a

4.0620

晶胞参数 b

6.5021

晶胞参数 c

7.8158

α 角

90.00

β 角

105.06

γ 角

90.00

空间群

Cmcm

点群

mmm

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
11.73	7.5473	4.2	(0,0,1)
18.01	4.9261	6.7	(0,1,1)
22.67	3.9225	6.7	(1,0,-1)
23.58	3.7737	2.3	(0,0,2)
26.54	3.3586	7.2	(1,1,-1)
27.33	3.2638	1.4	(0,1,2)
27.43	3.2510	6.2	(0,2,0)
28.24	3.1606	1.2	(1,0,-2)
28.24	3.1606	1.2	(1,0,1)
31.47	2.8426	13.2	(1,1,-2)
35.88	2.5031	100.0	(1,2,-1)
36.48	2.4631	17.8	(0,2,2)
37.10	2.4230	51.9	(1,0,-3)
38.36	2.3463	32.2	(0,1,3)
39.70	2.2705	35.9	(1,1,-3)
39.78	2.2662	17.3	(1,2,-2)
43.44	2.0832	8.8	(0,3,1)
44.61	2.0310	36.9	(2,0,-1)
45.59	1.9896	22.3	(0,2,3)
46.76	1.9428	1.0	(1,2,-3)
47.96	1.8970	3.9	(1,3,-1)
48.43	1.8794	3.7	(0,3,2)
48.48	1.8777	1.2	(2,1,-2)
49.89	1.8278	2.0	(1,1,-4)

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能量属性

形成能/原子

-0.53175

eV/atom

能量/原子

-4.28011

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-15.6729

eV/atom

体积/原子

16.61

Å³

c/a 比

1.9241

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

0.0000

μB

磁有序

Unknown

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

组成概览

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ga · 0.667

元素家族

PostTransition-Noble

溶质分数

0.333

间隙分数

0.000

高熵合金特征

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

0.8676

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

7.2129

J/mol·K

Ω 参数

0.6321

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

11.608%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2266

越小混合越稳定

VEC

5.500

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-8.889

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7897

固溶体倾向

相趋势

传统材料特征

ROM 混合特征雷达

评级与分类

评级 Tier

评分

0.586

家族

Ga-rich Multi-Component

基质元素

Ga · 0.667

关联任务

关联的计算任务 ID（5 个）

aaadmyol aaadtacl aaaekmqv aaaeuadi aaafivxw

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-30645

参考引用

The crystal structure and related material properties of HoGa4Ni were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-30645, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_HoGa4Ni
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.06200702
_cell_length_b   6.50208074
_cell_length_c   7.81583623
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   105.06161048
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   HoGa4Ni
_chemical_formula_sum   'Ho2 Ga8 Ni2'
_cell_volume   199.33651208
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.11950734  0.75000000  0.23901269  1.0
  Ho  Ho1  1  0.88049266  0.25000000  0.76098731  1.0
  Ga  Ga2  1  0.68578691  0.44825579  0.37157282  1.0
  Ga  Ga3  1  0.92932623  0.75000000  0.85865147  1.0
  Ga  Ga4  1  0.50000000  0.00000000  -0.00000000  1.0
  Ga  Ga5  1  0.31421409  0.55174421  0.62842718  1.0
  Ga  Ga6  1  0.50000000  0.50000000  -0.00000000  1.0
  Ga  Ga7  1  0.31421409  0.94825579  0.62842718  1.0
  Ga  Ga8  1  0.68578691  0.05174421  0.37157282  1.0
  Ga  Ga9  1  0.07067377  0.25000000  0.14134853  1.0
  Ni  Ni10  1  0.22429803  0.25000000  0.44859606  1.0
  Ni  Ni11  1  0.77570197  0.75000000  0.55140394  1.0

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