Hf4GaAs

高熵材料 HEA 传统材料 TRA

MP-ID: mp-3201158 · 空间群: I422 (#97)

Materials Project API

基础信息

化学式

Hf4GaAs

MP-ID

mp-3201158

元素数

位点数

密度

12.4459

g/cm³

体积

114.56

Å³

晶胞参数 a

5.3534

晶胞参数 b

5.3534

晶胞参数 c

5.3534

α 角

104.10

β 角

104.10

γ 角

120.85

空间群

I422

点群

422

晶体系统

Tetragonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
19.06	4.6559	2.5	(1,-1,0)
27.08	3.2922	2.4	(1,-1,1)
33.93	2.6423	18.7	(1,1,-1)
34.88	2.5723	33.3	(0,1,-2)
34.88	2.5723	100.0	(2,-1,0)
38.68	2.3280	5.1	(2,-2,0)
39.20	2.2980	23.2	(1,1,-2)
43.46	2.0822	35.8	(2,-2,1)
43.94	2.0607	10.0	(2,0,-2)
43.94	2.0607	10.0	(2,0,0)
53.06	1.7260	2.2	(3,-2,-1)
55.85	1.6461	4.1	(2,-2,2)
56.25	1.6354	1.7	(0,2,-3)
56.25	1.6354	5.0	(2,0,-3)
59.57	1.5520	6.7	(3,-3,0)
60.57	1.5287	14.6	(3,-2,-2)
61.32	1.5117	9.9	(2,1,-3)
61.32	1.5117	16.6	(3,0,-1)
63.15	1.4723	4.7	(3,-3,1)
66.98	1.3972	3.8	(1,-3,3)
66.98	1.3972	11.5	(3,-1,-3)
70.35	1.3382	10.0	(1,1,-4)
70.35	1.3382	10.0	(4,-2,-1)
71.40	1.3211	5.2	(2,2,-2)

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能量属性

形成能/原子

-0.74444

eV/atom

能量/原子

-35.20377

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-35.2038

eV/atom

体积/原子

19.09

Å³

c/a 比

1.0000

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0000

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

组成概览

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Hf · 0.667

元素家族

5d-TM

溶质分数

0.333

间隙分数

0.000

高熵合金特征

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

0.8676

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

7.2129

J/mol·K

Ω 参数

2.0884

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

11.537%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3446

越小混合越稳定

VEC

3.667

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-6.572

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7897

固溶体倾向

相趋势

传统材料特征

ROM 混合特征雷达

评级与分类

评级 Tier

评分

0.586

家族

Hf-rich Multi-Component

基质元素

Hf · 0.667

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahadlm

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3201158

参考引用

The crystal structure and related material properties of Hf4GaAs were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3201158, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Hf4GaAs
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   5.35341649
_cell_length_b   5.35341684
_cell_length_c   5.35341688
_cell_angle_alpha   104.09969797
_cell_angle_beta   104.09969292
_cell_angle_gamma   120.84920696
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Hf4GaAs
_chemical_formula_sum   'Hf4 Ga1 As1'
_cell_volume   114.55562101
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Hf  Hf0  1  0.65470533  0.15470533  0.80941066  1.0
  Hf  Hf1  1  0.84529467  0.65470533  0.50000000  1.0
  Hf  Hf2  1  0.15470533  0.34529467  0.50000000  1.0
  Hf  Hf3  1  0.34529467  0.84529467  0.19058934  1.0
  Ga  Ga4  1  0.25000000  0.25000000  0.00000000  1.0
  As  As5  1  0.75000000  0.75000000  0.00000000  1.0

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