Ta5GaSi2
高熵材料 HEA 传统材料 TRAMP-ID: mp-3203398 · 空间群: I4/mcm (#140)
基础信息
化学式
Ta5GaSi2
MP-ID
mp-3203398
元素数
3
位点数
16
密度
13.2882
g/cm³
体积
257.58
ų
晶胞参数 a
7.5549
Å
晶胞参数 b
7.5549
Å
晶胞参数 c
7.5549
Å
α 角
128.39
°
β 角
128.39
°
γ 角
76.00
°
空间群
I4/mcm
点群
4/mmm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 24.28 | 3.6652 | 9.1 | (2,0,-1) |
| 30.02 | 2.9767 | 6.0 | (2,2,-2) |
| 31.07 | 2.8788 | 2.8 | (2,0,0) |
| 31.07 | 2.8788 | 8.5 | (2,0,-2) |
| 31.32 | 2.8558 | 43.0 | (2,-1,0) |
| 35.82 | 2.5072 | 14.2 | (3,1,-2) |
| 35.82 | 2.5072 | 14.2 | (1,3,-2) |
| 38.08 | 2.3633 | 100.0 | (3,0,-1) |
| 38.72 | 2.3256 | 13.2 | (2,-2,0) |
| 40.89 | 2.2070 | 9.4 | (3,1,-1) |
| 40.89 | 2.2070 | 28.1 | (3,1,-3) |
| 43.51 | 2.0801 | 47.7 | (2,-2,1) |
| 45.72 | 1.9845 | 12.7 | (3,3,-3) |
| 49.75 | 1.8326 | 1.1 | (4,0,-2) |
| 55.91 | 1.6444 | 1.1 | (2,-2,2) |
| 58.36 | 1.5812 | 1.1 | (3,-2,1) |
| 58.36 | 1.5812 | 7.4 | (2,-1,2) |
| 59.64 | 1.5504 | 2.8 | (3,-3,0) |
| 59.64 | 1.5504 | 2.8 | (0,0,3) |
| 61.42 | 1.5096 | 2.2 | (5,1,-3) |
| 61.84 | 1.5004 | 2.4 | (2,-4,1) |
| 62.39 | 1.4883 | 3.2 | (4,4,-4) |
| 62.77 | 1.4802 | 4.5 | (4,-1,0) |
| 62.77 | 1.4802 | 13.6 | (4,-1,-3) |
能量属性
形成能/原子
-0.58685
eV/atom
能量/原子
-34.58054
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-34.5805
eV/atom
体积/原子
16.10
ų
c/a 比
1.0000
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
组成概览
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ta · 0.625
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.375
间隙分数
0.250
高熵合金特征
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9003
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
7.4847
J/mol·K
Ω 参数
0.5854
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
8.945%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1810
越小混合越稳定
VEC
4.500
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-32.167
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8194
固溶体倾向
0
相趋势
AM
传统材料特征
ROM 混合特征雷达
评级与分类
评级 Tier
B
评分
0.600
家族
Interstitial Alloy
基质元素
Ta · 0.625
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3203398
参考引用
The crystal structure and related material properties of Ta5GaSi2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3203398, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ta5GaSi2
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 7.55485724
_cell_length_b 7.55485654
_cell_length_c 7.55485647
_cell_angle_alpha 128.38703540
_cell_angle_beta 128.38703297
_cell_angle_gamma 75.99888151
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Ta5GaSi2
_chemical_formula_sum 'Ta10 Ga2 Si4'
_cell_volume 257.58303741
_cell_formula_units_Z 2
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ta Ta0 1 0.01523996 0.18728008 0.50000000 1.0
Ta Ta1 1 0.68728008 0.51523996 0.50000000 1.0
Ta Ta2 1 0.51523996 0.01523996 0.82796088 1.0
Ta Ta3 1 0.18728008 0.68728008 0.17203912 1.0
Ta Ta4 1 0.98476004 0.81271992 0.50000000 1.0
Ta Ta5 1 0.31271992 0.48476004 0.50000000 1.0
Ta Ta6 1 0.48476004 0.98476004 0.17203912 1.0
Ta Ta7 1 0.81271992 0.31271992 0.82796088 1.0
Ta Ta8 1 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1.0
Ta Ta9 1 0.50000000 0.50000000 0.00000000 1.0
Ga Ga10 1 0.75000000 0.75000000 0.00000000 1.0
Ga Ga11 1 0.25000000 0.25000000 0.00000000 1.0
Si Si12 1 0.37004042 0.12995958 0.50000000 1.0
Si Si13 1 0.62995958 0.87004042 0.50000000 1.0
Si Si14 1 0.87004042 0.37004042 0.24007984 1.0
Si Si15 1 0.12995958 0.62995958 0.75992016 1.0
