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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho3Tm(Si4Tc3)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3294700 · 空间群: P1 (#1)

基础信息

化学式
Ho3Tm(Si4Tc3)2
MP-ID
mp-3294700
元素数
4
位点数
18
密度
8.5688
g/cm³
体积
286.11
ų
晶胞参数 a
6.7362
Å
晶胞参数 b
6.7192
Å
晶胞参数 c
6.7276
Å
α 角
70.01
°
β 角
89.90
°
γ 角
89.03
°
空间群
P1
点群
1
晶体系统
Triclinic
Bravais 格子
aP
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
14.01 6.3223 1.1 (0,0,1)
19.10 4.6466 2.8 (1,1,0)
19.21 4.6195 15.0 (1,0,-1)
19.30 4.5997 14.8 (1,0,1)
19.44 4.5667 3.1 (1,-1,0)
20.72 4.2873 4.2 (1,1,1)
20.95 4.2395 7.6 (1,-1,-1)
26.47 3.3676 9.0 (2,0,0)
26.48 3.3660 18.1 (1,1,-1)
26.79 3.3278 17.3 (1,-1,1)
26.91 3.3129 16.4 (0,2,1)
28.23 3.1611 59.9 (0,0,2)
28.27 3.1567 16.6 (0,2,0)
29.85 2.9930 37.3 (2,1,0)
29.86 2.9918 32.6 (1,2,1)
29.98 2.9810 16.9 (1,1,2)
30.01 2.9775 9.9 (2,0,-1)
30.09 2.9701 15.5 (1,-1,-2)
30.12 2.9670 9.5 (2,0,1)
30.25 2.9541 39.4 (1,-2,-1)
30.30 2.9501 34.9 (2,-1,0)
30.97 2.8877 17.8 (2,1,1)
31.08 2.8776 21.5 (1,2,0)
31.20 2.8663 16.4 (1,0,-2)
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能量属性

形成能/原子
-0.78502
eV/atom
能量/原子
-20.77075
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-20.7708
eV/atom
体积/原子
15.90
ų
c/a 比
0.9987

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0024
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

组成概览

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.444
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.556
间隙分数
0.444

高熵合金特征

综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1858
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.8589
J/mol·K
Ω 参数
0.0000
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
16.435%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2765
越小混合越稳定
VEC
6.000
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
0.000
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8554
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3294700
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho3Tm(Si4Tc3)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3294700, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho3Tm(Si4Tc3)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.73616783
_cell_length_b   6.71916858
_cell_length_c   6.72761611
_cell_angle_alpha   70.01039785
_cell_angle_beta   89.89889398
_cell_angle_gamma   89.02919140
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho3Tm(Si4Tc3)2
_chemical_formula_sum   'Ho3 Tm1 Si8 Tc6'
_cell_volume   286.11313730
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.32914539  0.55568964  0.80905262  1.0
  Ho  Ho1  1  0.83059096  0.93942005  0.19398545  1.0
  Ho  Ho2  1  0.66561949  0.44187698  0.19177451  1.0
  Tm  Tm3  1  0.16793061  0.06178229  0.80865165  1.0
  Si  Si4  1  0.54718273  0.87061806  0.90110015  1.0
  Si  Si5  1  0.05002086  0.62291438  0.10257416  1.0
  Si  Si6  1  0.45015711  0.11887705  0.10012222  1.0
  Si  Si7  1  0.93830460  0.38771857  0.88835022  1.0
  Si  Si8  1  0.14385725  0.87361054  0.48833879  1.0
  Si  Si9  1  0.64847629  0.62481101  0.52868322  1.0
  Si  Si10  1  0.86495753  0.13584847  0.50535226  1.0
  Si  Si11  1  0.35989958  0.36707103  0.48828205  1.0
  Tc  Tc12  1  0.50019050  0.99445772  0.49991452  1.0
  Tc  Tc13  1  0.99947761  0.50025195  0.50105570  1.0
  Tc  Tc14  1  0.85716239  0.77651152  0.76306867  1.0
  Tc  Tc15  1  0.34500587  0.74227584  0.23975391  1.0
  Tc  Tc16  1  0.15278543  0.24497258  0.23306744  1.0
  Tc  Tc17  1  0.64923478  0.24129233  0.75687347  1.0
获取直接链接