Dy10GaSi3Sb4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3296060 · 空间群: Cm (#8)

Materials Project API

基础信息

化学式

Dy10GaSi3Sb4

MP-ID

mp-3296060

元素数

位点数

密度

8.0375

g/cm³

体积

468.16

Å³

晶胞参数 a

8.5120

晶胞参数 b

8.5120

晶胞参数 c

7.8786

α 角

89.79

β 角

89.79

γ 角

124.90

空间群

点群

晶体系统

Monoclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
11.73	7.5467	1.8	(1,-1,0,0)
12.68	6.9810	1.3	(1,0,-1,0)
16.91	5.2432	8.3	(1,0,-1,1)
17.03	5.2068	15.9	(1,0,-1,-1)
22.57	3.9392	4.1	(0,0,0,2)
22.59	3.9369	3.5	(1,1,-2,0)
23.58	3.7734	40.0	(2,-2,0,0)
23.88	3.7267	5.3	(2,-1,-1,-1)
25.21	3.5329	70.6	(1,1,-2,1)
25.37	3.5106	68.9	(1,1,-2,-1)
25.51	3.4921	2.1	(1,-1,0,2)
25.52	3.4905	2.1	(2,0,-2,0)
25.89	3.4411	29.2	(0,1,-1,2)
25.89	3.4411	29.2	(1,0,-1,2)
26.05	3.4204	57.1	(1,0,-1,-2)
27.88	3.1997	2.9	(2,0,-2,1)
28.03	3.1830	2.7	(2,0,-2,-1)
30.92	2.8919	79.9	(2,-1,-1,2)
31.06	2.8797	77.5	(2,-1,-1,-2)
32.01	2.7957	73.8	(1,1,-2,2)
32.28	2.7737	60.6	(1,1,-2,-2)
32.87	2.7249	66.5	(2,-2,0,-2)
32.87	2.7249	66.5	(2,-2,0,2)
32.88	2.7242	67.4	(1,-3,2,0)

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能量属性

形成能/原子

-1.04461

eV/atom

能量/原子

-26.62279

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-26.6228

eV/atom

体积/原子

26.01

Å³

c/a 比

0.9256

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0600

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000130

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

组成概览

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Dy · 0.556

元素家族

Lanthanide

溶质分数

0.444

间隙分数

0.167

高熵合金特征

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.1200

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.3116

J/mol·K

Ω 参数

6.6115

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

14.368%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3745

越小混合越稳定

VEC

7.500

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-2.017

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8079

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahfnvo

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3296060

参考引用

The crystal structure and related material properties of Dy10GaSi3Sb4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3296060, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Dy10GaSi3Sb4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.51196150
_cell_length_b   8.51196185
_cell_length_c   7.87859033
_cell_angle_alpha   89.78993572
_cell_angle_beta   89.78994072
_cell_angle_gamma   124.89889552
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Dy10GaSi3Sb4
_chemical_formula_sum   'Dy10 Ga1 Si3 Sb4'
_cell_volume   468.16001300
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Dy  Dy0  1  0.04042942  0.29308137  0.33437355  1.0
  Dy  Dy1  1  0.95935198  0.70940174  0.66533559  1.0
  Dy  Dy2  1  0.45975338  0.20561145  0.83336725  1.0
  Dy  Dy3  1  0.79293400  0.53971985  0.16563255  1.0
  Dy  Dy4  1  0.53971985  0.79293400  0.16563255  1.0
  Dy  Dy5  1  0.20561145  0.45975338  0.83336725  1.0
  Dy  Dy6  1  0.70940174  0.95935198  0.66533559  1.0
  Dy  Dy7  1  0.29308137  0.04042942  0.33437355  1.0
  Dy  Dy8  1  0.99870211  0.99870211  0.99916168  1.0
  Dy  Dy9  1  0.50128029  0.50128029  0.50156373  1.0
  Ga  Ga10  1  0.36939775  0.36939775  0.12928538  1.0
  Si  Si11  1  0.62838794  0.62838794  0.87147082  1.0
  Si  Si12  1  0.13365320  0.13365320  0.63100014  1.0
  Si  Si13  1  0.86835133  0.86835133  0.36727301  1.0
  Sb  Sb14  1  0.79278865  0.20301448  0.00032272  1.0
  Sb  Sb15  1  0.20301448  0.79278865  0.00032272  1.0
  Sb  Sb16  1  0.70753915  0.29660293  0.50108946  1.0
  Sb  Sb17  1  0.29660293  0.70753915  0.50108946  1.0

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