V2GaSn2
高熵材料 HEA 传统材料 TRAMP-ID: mp-640159 · 空间群: Cmce (#64)
基础信息
化学式
V2GaSn2
MP-ID
mp-640159
元素数
3
位点数
20
密度
7.7279
g/cm³
体积
351.56
ų
晶胞参数 a
9.7494
Å
晶胞参数 b
9.7494
Å
晶胞参数 c
6.7370
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
146.70
°
空间群
Cmce
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
No
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 16.22 | 5.4640 | 3.4 | (1,-1,1) |
| 21.20 | 4.1909 | 3.0 | (1,0,1) |
| 26.46 | 3.3685 | 6.3 | (0,0,2) |
| 28.16 | 3.1687 | 16.8 | (1,-1,2) |
| 28.67 | 3.1135 | 4.8 | (3,-3,0) |
| 31.38 | 2.8509 | 6.9 | (1,0,2) |
| 31.66 | 2.8263 | 1.5 | (3,-3,1) |
| 31.73 | 2.8205 | 100.0 | (3,-2,1) |
| 32.04 | 2.7934 | 29.9 | (1,1,0) |
| 32.78 | 2.7320 | 5.9 | (2,-2,2) |
| 33.48 | 2.6763 | 23.6 | (2,0,0) |
| 34.26 | 2.6175 | 85.9 | (2,-1,2) |
| 36.11 | 2.4872 | 63.4 | (2,0,1) |
| 37.52 | 2.3973 | 6.4 | (3,-1,0) |
| 38.55 | 2.3352 | 7.2 | (4,-4,0) |
| 39.41 | 2.2864 | 55.9 | (3,-3,2) |
| 39.47 | 2.2833 | 27.3 | (3,-2,2) |
| 39.75 | 2.2676 | 66.8 | (4,-3,1) |
| 40.90 | 2.2064 | 44.0 | (4,-4,1) |
| 41.35 | 2.1835 | 61.0 | (1,-1,3) |
| 42.02 | 2.1502 | 94.3 | (1,1,2) |
| 43.17 | 2.0954 | 1.2 | (2,0,2) |
| 43.53 | 2.0792 | 65.5 | (4,-2,0) |
| 43.71 | 2.0708 | 2.0 | (1,0,3) |
能量属性
形成能/原子
-0.12507
eV/atom
能量/原子
-17.94793
eV/atom
凸包距离
0.0182
eV/atom
未修正能量
-17.9479
eV/atom
体积/原子
17.58
ų
c/a 比
0.6910
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
组成概览
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.400
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.600
间隙分数
0.000
高熵合金特征
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0549
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
8.7706
J/mol·K
Ω 参数
1.2105
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
5.797%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1477
越小混合越稳定
VEC
4.200
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
8.230
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9602
固溶体倾向
0
相趋势
IM
传统材料特征
ROM 混合特征雷达
评级与分类
评级 Tier
B
评分
0.621
家族
V-rich Multi-Component
基质元素
V · 0.400
关联任务
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-640159
参考引用
The crystal structure and related material properties of V2GaSn2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-640159, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
晶体结构 3D 渲染
加载 3D 结构...
样式: Ball & Stick
|
拖拽旋转 · 滚轮缩放 · 右键平移
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V2GaSn2
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 9.74935759
_cell_length_b 9.74935759
_cell_length_c 6.73699476
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 146.70065699
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural V2GaSn2
_chemical_formula_sum 'V8 Ga4 Sn8'
_cell_volume 351.56126833
_cell_formula_units_Z 4
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
V V0 1 0.57287828 0.42712172 0.47371390 1.0
V V1 1 0.42712172 0.57287828 0.52628610 1.0
V V2 1 0.07287828 0.92712172 0.02628610 1.0
V V3 1 0.90822513 0.59177487 0.75000000 1.0
V V4 1 0.40822513 0.09177487 0.75000000 1.0
V V5 1 0.59177487 0.90822513 0.25000000 1.0
V V6 1 0.92712172 0.07287828 0.97371390 1.0
V V7 1 0.09177487 0.40822513 0.25000000 1.0
Ga Ga8 1 0.76733151 0.73266849 0.75000000 1.0
Ga Ga9 1 0.73266849 0.76733151 0.25000000 1.0
Ga Ga10 1 0.23266849 0.26733151 0.25000000 1.0
Ga Ga11 1 0.26733151 0.23266849 0.75000000 1.0
Sn Sn12 1 0.72125300 0.27874700 0.42455596 1.0
Sn Sn13 1 0.38924568 0.61075432 0.92158091 1.0
Sn Sn14 1 0.27874700 0.72125300 0.57544404 1.0
Sn Sn15 1 0.22125300 0.77874700 0.07544404 1.0
Sn Sn16 1 0.77874700 0.22125300 0.92455596 1.0
Sn Sn17 1 0.88924568 0.11075432 0.57841909 1.0
Sn Sn18 1 0.61075432 0.38924568 0.07841909 1.0
Sn Sn19 1 0.11075432 0.88924568 0.42158091 1.0
