GaSi3
传统材料 TRAMP-ID: mp-983359 · 空间群: Fm-3m (#225)
基础信息
化学式
GaSi3
MP-ID
mp-983359
元素数
2
位点数
4
密度
4.0471
g/cm³
体积
63.18
ų
晶胞参数 a
4.4706
Å
晶胞参数 b
4.4706
Å
晶胞参数 c
4.4706
Å
α 角
60.00
°
β 角
60.00
°
γ 角
60.00
°
空间群
Fm-3m
点群
m-3m
晶体系统
Cubic
Bravais 格子
cF
稳定性
No
堆积分数
0.7405
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 11）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 24.39 | 3.6502 | 19.2 | (1,1,1) |
| 28.23 | 3.1612 | 10.2 | (1,1,0) |
| 40.35 | 2.2353 | 100.0 | (2,1,1) |
| 47.71 | 1.9063 | 10.1 | (2,2,1) |
| 49.97 | 1.8251 | 2.9 | (2,2,2) |
| 58.39 | 1.5806 | 16.3 | (2,2,0) |
| 64.21 | 1.4504 | 3.9 | (3,2,2) |
| 66.09 | 1.4137 | 3.6 | (3,2,1) |
| 73.36 | 1.2905 | 33.0 | (3,3,2) |
| 78.63 | 1.2167 | 2.8 | (3,3,3) |
| 87.22 | 1.1176 | 10.7 | (4,2,2) |
能量属性
形成能/原子
0.51945
eV/atom
能量/原子
-8.92156
eV/atom
凸包距离
0.5195
eV/atom
未修正能量
-4.3598
eV/atom
体积/原子
15.79
ų
c/a 比
1.0000
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0007
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų
弹性属性
KVRH
80.144
GPa
GVRH
-60.945
GPa
杨氏模量 E
-
GPa
泊松比 ν
-
Pugh 比 K/G
-1.315
维氏硬度估算
-
GPa
韧性
Ductile
各向异性
1.117
拉梅 λ
120.774
GPa
特征分析
组成概览
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.750
元素家族
N/A
溶质分数
0.250
间隙分数
0.750
传统材料特征
ROM 混合特征雷达
评级与分类
评级 Tier
A
评分
0.521
家族
Binary Alloy
基质元素
Si · 0.750
关联任务
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-983359
参考引用
The crystal structure and related material properties of GaSi3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-983359, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_GaSi3
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 4.47054545
_cell_length_b 4.47054545
_cell_length_c 4.47054545
_cell_angle_alpha 60.00000000
_cell_angle_beta 60.00000000
_cell_angle_gamma 60.00000000
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural GaSi3
_chemical_formula_sum 'Ga1 Si3'
_cell_volume 63.17809759
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ga Ga0 1 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1.0
Si Si1 1 0.25000000 0.25000000 0.25000000 1.0
Si Si2 1 0.75000000 0.75000000 0.75000000 1.0
Si Si3 1 0.50000000 0.50000000 0.50000000 1.0
