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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ti4GaN3

Alexandria ALEX

Alex-ID: agm015097779 · 空间群: P6_3/mmc (#194)

基础信息

化学式
Ti4GaN3
Alex-ID
agm015097779
元素数
3
位点数
16
空间群
P6_3/mmc (#194)
晶系
hexagonal
体积
181.55
ų
晶胞参数 a
3.0063
Å
晶胞参数 b
3.0063
Å
晶胞参数 c
23.1945
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.00
°

组成

元素组成(原子分数)
组成信息
化学式
Ti4GaN3
Ti
8.00 · 50.0%
Ga
2.00 · 12.5%
N
6.00 · 37.5%

能量与稳定性

凸包上方能量
0.0000
eV/atom
形成能
-1.6224
eV/atom
校正后总能量
-142.8913
eV
原始总能量
-142.8913
eV

电子结构

间接带隙
0.0038
eV
直接带隙
0.0075
eV
费米能级态密度
5.7804
总磁矩
-0.0001
μB

其他信息

原型 ID

AB3C4_75_spg194

分解产物

Ti4GaN3

计算时间

2024-09-14 04:02:29.985908

引用参考

Alexandria 官方页面
https://alexandria.icams.rub.de/
参考引用

The crystal structure and related material properties of this entry were obtained from the Alexandria database (Alex-ID: agm015097779).

文献引用

Th. Cavignac, J. Schmidt, P.-P. De Breuck, A. Loew, T. F. T. Cerqueira, H.-C. Wang, A. Bochkarev, Y. Lysogorskiy, A. H. Romero, R. Drautz, S. Botti and M. A. L. Marques. AI-Driven expansion and application of the Alexandria database. J. Phys. Mater. 9, 025014 (2026). https://doi.org/10.1088/2515-7639/ae6620

BibTeX
@article{Cavignac2026Alexandria,
  author  = {Cavignac, Th{\'e}o and Schmidt, Jonathan and De Breuck, Pierre-Paul and Loew, Antoine
             and Cerqueira, Tiago F. T. and Wang, Hai-Chen and Bochkarev, Anton
             and Lysogorskiy, Yury and Romero, Aldo H. and Drautz, Ralf and Botti, Silvana
             and Marques, Miguel A. L.},
  title   = {{AI}-Driven expansion and application of the {A}lexandria database},
  journal = {Journal of Physics: Materials},
  year    = {2026},
  volume  = {9},
  number  = {2},
  pages   = {025014},
  doi     = {10.1088/2515-7639/ae6620},
  url     = {https://doi.org/10.1088/2515-7639/ae6620}
}

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# CIF generated by HEAS from Alexandria entry agm015097779
data_agm015097779
_cell_length_a     3.00634
_cell_length_b     3.00634
_cell_length_c     23.19450
_cell_angle_alpha  90.00000
_cell_angle_beta   90.00000
_cell_angle_gamma  120.00000
_cell_volume       181.54862
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_symmetry_Int_Tables_number 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
  'x, y, z'
loop_
_atom_site_label
_atom_site_type_symbol
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
  Ti1 Ti 0.33333 0.66667 0.44552 1.00000
  Ti2 Ti 0.66667 0.33333 0.55448 1.00000
  Ti3 Ti 0.00000 0.00000 0.65575 1.00000
  Ti4 Ti 0.00000 0.00000 0.15575 1.00000
  Ti5 Ti 0.00000 0.00000 0.84425 1.00000
  Ti6 Ti 0.66667 0.33333 0.94552 1.00000
  Ti7 Ti 0.00000 0.00000 0.34425 1.00000
  Ti8 Ti 0.33333 0.66667 0.05448 1.00000
  Ga1 Ga 0.66667 0.33333 0.75000 1.00000
  Ga2 Ga 0.33333 0.66667 0.25000 1.00000
  N1 N 0.66667 0.33333 0.10685 1.00000
  N2 N 0.33333 0.66667 0.60685 1.00000
  N3 N 0.00000 0.00000 0.50000 1.00000
  N4 N 0.66667 0.33333 0.39315 1.00000
  N5 N 0.33333 0.66667 0.89315 1.00000
  N6 N 0.00000 0.00000 0.00000 1.00000
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