Ho10Ga3SiBi4
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3295910 · 空间群: Cm (#8)
基础信息
化学式
Ho10Ga3SiBi4
MP-ID
mp-3295910
元素数
4
位点数
18
密度
9.3409
g/cm³
体积
483.98
ų
晶胞参数 a
8.6283
Å
晶胞参数 b
8.6283
Å
晶胞参数 c
7.9558
Å
α 角
89.35
°
β 角
89.35
°
γ 角
125.18
°
空间群
Cm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 11.12 | 7.9534 | 1.1 | (0,0,1) |
| 11.55 | 7.6595 | 4.0 | (1,-1,0) |
| 12.55 | 7.0509 | 1.4 | (1,0,0) |
| 16.62 | 5.3342 | 11.9 | (1,0,1) |
| 16.99 | 5.2198 | 9.0 | (1,0,-1) |
| 16.99 | 5.2198 | 9.0 | (0,1,-1) |
| 22.36 | 3.9767 | 25.1 | (0,0,2) |
| 22.39 | 3.9711 | 24.4 | (1,1,0) |
| 23.23 | 3.8298 | 10.9 | (2,-2,0) |
| 23.41 | 3.8005 | 3.6 | (2,-1,1) |
| 23.41 | 3.8005 | 3.6 | (1,-2,-1) |
| 23.67 | 3.7585 | 2.8 | (2,-1,-1) |
| 24.81 | 3.5883 | 49.9 | (1,1,1) |
| 25.23 | 3.5294 | 25.4 | (1,-1,2) |
| 25.26 | 3.5255 | 25.7 | (2,0,0) |
| 25.31 | 3.5185 | 49.9 | (1,1,-1) |
| 25.47 | 3.4966 | 38.2 | (1,0,2) |
| 25.96 | 3.4319 | 39.8 | (1,0,-2) |
| 27.45 | 3.2494 | 2.1 | (2,0,1) |
| 27.45 | 3.2494 | 2.1 | (0,2,1) |
| 27.91 | 3.1973 | 2.9 | (2,0,-1) |
| 30.43 | 2.9376 | 74.1 | (2,-1,2) |
| 30.85 | 2.8989 | 66.7 | (2,-1,-2) |
| 31.44 | 2.8452 | 100.0 | (1,1,2) |
能量属性
形成能/原子
-0.86664
eV/atom
能量/原子
-34.52912
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-34.5291
eV/atom
体积/原子
26.89
ų
c/a 比
0.9221
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
Yes
总磁矩
0.8900
μB
磁有序
FM
磁性位点数
6
磁化强度/体积
0.001840
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
组成概览
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ho · 0.556
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.444
间隙分数
0.056
高熵合金特征
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1200
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
9.3116
J/mol·K
Ω 参数
5.9659
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
11.207%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3520
越小混合越稳定
VEC
7.944
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.918
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8079
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3295910
参考引用
The crystal structure and related material properties of Ho10Ga3SiBi4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3295910, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho10Ga3SiBi4
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 8.62829630
_cell_length_b 8.62829541
_cell_length_c 7.95576379
_cell_angle_alpha 89.35142067
_cell_angle_beta 89.35141724
_cell_angle_gamma 125.17647105
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Ho10Ga3SiBi4
_chemical_formula_sum 'Ho10 Ga3 Si1 Bi4'
_cell_volume 483.97781033
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ho Ho0 1 0.04416036 0.28947688 0.33295759 1.0
Ho Ho1 1 0.95619032 0.71172043 0.66554454 1.0
Ho Ho2 1 0.46070737 0.20789299 0.83506112 1.0
Ho Ho3 1 0.78920643 0.54031878 0.16515420 1.0
Ho Ho4 1 0.54031878 0.78920643 0.16515420 1.0
Ho Ho5 1 0.20789299 0.46070737 0.83506112 1.0
Ho Ho6 1 0.71172043 0.95619032 0.66554454 1.0
Ho Ho7 1 0.28947688 0.04416036 0.33295759 1.0
Ho Ho8 1 0.99958349 0.99958349 0.99960731 1.0
Ho Ho9 1 0.49932037 0.49932037 0.50032346 1.0
Ga Ga10 1 0.37243167 0.37243167 0.12553268 1.0
Ga Ga11 1 0.62673980 0.62673980 0.87326250 1.0
Ga Ga12 1 0.13758686 0.13758686 0.63639204 1.0
Si Si13 1 0.86385345 0.86385345 0.36419042 1.0
Bi Bi14 1 0.79153596 0.20491643 0.00149902 1.0
Bi Bi15 1 0.20491643 0.79153596 0.00149902 1.0
Bi Bi16 1 0.70923778 0.29512062 0.50012833 1.0
Bi Bi17 1 0.29512062 0.70923778 0.50012833 1.0
