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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

ScGa2Ir

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-1097421 · 空间群: Immm (#71)

基础信息

化学式
ScGa2Ir
MP-ID
mp-1097421
元素数
3
位点数
4
密度
0.6693
g/cm³
体积
934.33
ų
晶胞参数 a
11.0559
Å
晶胞参数 b
11.0559
Å
晶胞参数 c
11.0559
Å
α 角
124.40
°
β 角
117.92
°
γ 角
88.10
°
空间群
Immm
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oI
稳定性
No
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
2.14123
eV/atom
能量/原子
-3.16555
eV/atom
凸包距离
2.8237
eV/atom
未修正能量
-3.1656
eV/atom
体积/原子
233.58
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
Yes
总磁矩
0.6468
μB
磁有序
FiM
磁性位点数
2
磁化强度/体积
0.000690
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.500
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.500
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0397
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.6442
J/mol·K
Ω 参数
0.3539
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
8.137%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2974
越小混合越稳定
VEC
4.500
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-31.499
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9464
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-1097421
参考引用

The crystal structure and related material properties of ScGa2Ir were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1097421, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_ScGa2Ir
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   11.05587693
_cell_length_b   11.05587693
_cell_length_c   11.05587693
_cell_angle_alpha   124.39928875
_cell_angle_beta   117.92272413
_cell_angle_gamma   88.09530656
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   ScGa2Ir
_chemical_formula_sum   'Sc1 Ga2 Ir1'
_cell_volume   934.33402044
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Sc  Sc0  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga1  1  0.00000000  0.27035700  0.27035700  1.0
  Ga  Ga2  1  0.00000000  0.72964300  0.72964300  1.0
  Ir  Ir3  1  0.00000000  0.50000000  0.50000000  1.0
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