HoGaNi

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-11442 · 空间群: Pnma (#62)

Materials Project API

基础信息

化学式

HoGaNi

MP-ID

mp-11442

元素数

位点数

密度

9.3301

g/cm³

体积

208.83

Å³

晶胞参数 a

4.2609

晶胞参数 b

6.7974

晶胞参数 c

7.2104

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

90.00

空间群

Pnma

点群

mmm

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.64352

eV/atom

能量/原子

-5.11216

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-19.4522

eV/atom

体积/原子

17.40

Å³

c/a 比

1.6922

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

0.0000

μB

磁有序

Unknown

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ho · 0.333

元素家族

Lanthanide

溶质分数

0.667

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0986

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.1339

J/mol·K

Ω 参数

1.2896

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

15.148%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2998

越小混合越稳定

VEC

8.000

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-8.889

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

1.0000

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（5 个）

aaadmzfs aaadsovn aaaekrds aaaerivo aaafwywh

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-11442

参考引用

The crystal structure and related material properties of HoGaNi were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-11442, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_HoGaNi
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.26091878
_cell_length_b   6.79736221
_cell_length_c   7.21039417
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   HoGaNi
_chemical_formula_sum   'Ho4 Ga4 Ni4'
_cell_volume   208.83470616
_cell_formula_units_Z   4
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.25000000  0.51926659  0.30357351  1.0
  Ho  Ho1  1  0.25000000  0.01926659  0.19642649  1.0
  Ho  Ho2  1  0.75000000  0.98073341  0.80357351  1.0
  Ho  Ho3  1  0.75000000  0.48073341  0.69642649  1.0
  Ga  Ga4  1  0.75000000  0.32338562  0.07879388  1.0
  Ga  Ga5  1  0.25000000  0.17661438  0.57879388  1.0
  Ga  Ga6  1  0.75000000  0.82338562  0.42120612  1.0
  Ga  Ga7  1  0.25000000  0.67661438  0.92120612  1.0
  Ni  Ni8  1  0.25000000  0.29073061  0.90627470  1.0
  Ni  Ni9  1  0.25000000  0.79073061  0.59372530  1.0
  Ni  Ni10  1  0.75000000  0.70926939  0.09372530  1.0
  Ni  Ni11  1  0.75000000  0.20926939  0.40627470  1.0

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