GaC
传统材料 TRAMP-ID: mp-1184015 · 空间群: P6_3mc (#186)
基础信息
化学式
GaC
MP-ID
mp-1184015
元素数
2
位点数
4
密度
5.2484
g/cm³
体积
51.72
ų
晶胞参数 a
3.2625
Å
晶胞参数 b
3.2625
Å
晶胞参数 c
5.6109
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.00
°
空间群
P6_3mc
点群
6mm
晶体系统
Hexagonal
Bravais 格子
hP
稳定性
No
堆积分数
0.7405
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 14）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 31.67 | 2.8254 | 35.8 | (1,0,-1,0) |
| 31.90 | 2.8055 | 33.7 | (0,0,0,2) |
| 35.58 | 2.5235 | 100.0 | (1,0,-1,1) |
| 45.57 | 1.9908 | 18.6 | (1,0,-1,2) |
| 56.41 | 1.6312 | 25.1 | (2,-1,-1,0) |
| 59.25 | 1.5596 | 31.6 | (1,0,-1,3) |
| 66.15 | 1.4127 | 1.3 | (2,-2,0,0) |
| 66.15 | 1.4127 | 2.5 | (2,0,-2,0) |
| 66.28 | 1.4102 | 23.4 | (2,-1,-1,2) |
| 66.68 | 1.4027 | 3.3 | (0,0,0,4) |
| 68.49 | 1.3699 | 14.5 | (2,0,-2,1) |
| 75.32 | 1.2618 | 4.0 | (2,0,-2,2) |
| 75.70 | 1.2564 | 3.4 | (1,0,-1,4) |
| 86.30 | 1.1273 | 10.5 | (2,0,-2,3) |
能量属性
形成能/原子
0.99635
eV/atom
能量/原子
-9.69866
eV/atom
凸包距离
0.9964
eV/atom
未修正能量
-5.1320
eV/atom
体积/原子
12.93
ų
c/a 比
1.7198
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0001
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.500
元素家族
N/A
溶质分数
0.500
间隙分数
0.500
ROM 混合特征雷达
评级与分类
评级 Tier
A
评分
0.424
家族
Binary Alloy
基质元素
Ga · 0.500
关联任务
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-1184015
参考引用
The crystal structure and related material properties of GaC were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1184015, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_GaC
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 3.26246203
_cell_length_b 3.26246203
_cell_length_c 5.61092200
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 120.00000051
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural GaC
_chemical_formula_sum 'Ga2 C2'
_cell_volume 51.71967550
_cell_formula_units_Z 2
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ga Ga0 1 0.66666700 0.33333300 0.86512600 1.0
Ga Ga1 1 0.33333300 0.66666700 0.36512600 1.0
C C2 1 0.66666700 0.33333300 0.50920200 1.0
C C3 1 0.33333300 0.66666700 0.00920200 1.0
