GaSn3
传统材料 TRAMP-ID: mp-1184285 · 空间群: P6_3/mmc (#194)
基础信息
化学式
GaSn3
MP-ID
mp-1184285
元素数
2
位点数
8
密度
7.0217
g/cm³
体积
201.42
ų
晶胞参数 a
6.4735
Å
晶胞参数 b
6.4735
Å
晶胞参数 c
5.5500
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.00
°
空间群
P6_3/mmc
点群
6/mmm
晶体系统
Hexagonal
Bravais 格子
hP
稳定性
No
堆积分数
0.7405
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 20）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 22.54 | 3.9441 | 4.2 | (1,0,-1,1) |
| 27.56 | 3.2367 | 1.0 | (2,-1,-1,0) |
| 31.93 | 2.8031 | 22.7 | (2,0,-2,0) |
| 32.26 | 2.7750 | 29.5 | (0,0,0,2) |
| 35.89 | 2.5021 | 100.0 | (2,0,-2,1) |
| 42.93 | 2.1067 | 1.0 | (2,-1,-1,2) |
| 45.84 | 1.9796 | 1.0 | (3,-1,-2,1) |
| 46.02 | 1.9721 | 5.6 | (2,-2,0,2) |
| 46.02 | 1.9721 | 11.2 | (2,0,-2,2) |
| 56.90 | 1.6184 | 18.0 | (4,-2,-2,0) |
| 59.91 | 1.5440 | 23.2 | (2,0,-2,3) |
| 66.74 | 1.4016 | 2.8 | (4,0,-4,0) |
| 66.93 | 1.3980 | 15.0 | (4,-2,-2,2) |
| 66.93 | 1.3980 | 7.5 | (2,2,-4,2) |
| 67.51 | 1.3875 | 3.7 | (0,0,0,4) |
| 69.13 | 1.3589 | 5.1 | (4,-4,0,1) |
| 69.13 | 1.3589 | 10.2 | (4,0,-4,1) |
| 76.08 | 1.2510 | 4.0 | (4,0,-4,2) |
| 76.63 | 1.2435 | 3.9 | (2,0,-2,4) |
| 87.27 | 1.1172 | 8.8 | (4,0,-4,3) |
能量属性
形成能/原子
0.23120
eV/atom
能量/原子
-21.18914
eV/atom
凸包距离
0.2312
eV/atom
未修正能量
-21.1891
eV/atom
体积/原子
25.18
ų
c/a 比
0.8573
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
Yes
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
Unknown
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Sn · 0.750
元素家族
N/A
溶质分数
0.250
间隙分数
0.000
ROM 混合特征雷达
评级与分类
评级 Tier
A
评分
0.732
家族
Binary Alloy
基质元素
Sn · 0.750
关联任务
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-1184285
参考引用
The crystal structure and related material properties of GaSn3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1184285, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_GaSn3
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 6.47346027
_cell_length_b 6.47346027
_cell_length_c 5.54996724
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 120.00000210
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural GaSn3
_chemical_formula_sum 'Ga2 Sn6'
_cell_volume 201.41602249
_cell_formula_units_Z 2
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ga Ga0 1 0.33333300 0.66666700 0.75000000 1.0
Ga Ga1 1 0.66666700 0.33333300 0.25000000 1.0
Sn Sn2 1 0.16832217 0.33664434 0.25000000 1.0
Sn Sn3 1 0.66335566 0.83167783 0.25000000 1.0
Sn Sn4 1 0.16832217 0.83167783 0.25000000 1.0
Sn Sn5 1 0.83167783 0.66335566 0.75000000 1.0
Sn Sn6 1 0.33664434 0.16832217 0.75000000 1.0
Sn Sn7 1 0.83167783 0.16832217 0.75000000 1.0
