Ga3Ge
传统材料 TRAMP-ID: mp-1184355 · 空间群: P6_3/mmc (#194)
基础信息
化学式
Ga3Ge
MP-ID
mp-1184355
元素数
2
位点数
8
密度
5.9838
g/cm³
体积
156.41
ų
晶胞参数 a
6.1812
Å
晶胞参数 b
6.1812
Å
晶胞参数 c
4.7270
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.00
°
空间群
P6_3/mmc
点群
6/mmm
晶体系统
Hexagonal
Bravais 格子
hP
稳定性
No
堆积分数
0.7405
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 13）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 33.48 | 2.6765 | 37.2 | (2,0,-2,0) |
| 38.07 | 2.3635 | 34.8 | (0,0,0,2) |
| 38.66 | 2.3291 | 100.0 | (2,0,-2,1) |
| 38.66 | 2.3291 | 50.0 | (2,-2,0,1) |
| 51.59 | 1.7716 | 21.3 | (2,0,-2,2) |
| 59.85 | 1.5453 | 26.8 | (4,-2,-2,0) |
| 69.19 | 1.3579 | 25.7 | (2,0,-2,3) |
| 70.35 | 1.3383 | 2.7 | (4,0,-4,0) |
| 70.35 | 1.3383 | 1.4 | (4,-4,0,0) |
| 73.18 | 1.2934 | 28.9 | (4,-2,-2,2) |
| 73.55 | 1.2877 | 21.4 | (4,0,-4,1) |
| 81.44 | 1.1818 | 3.6 | (0,0,0,4) |
| 82.90 | 1.1645 | 5.1 | (4,0,-4,2) |
能量属性
形成能/原子
0.09579
eV/atom
能量/原子
-11.95428
eV/atom
凸包距离
0.0958
eV/atom
未修正能量
-3.3310
eV/atom
体积/原子
19.55
ų
c/a 比
0.7648
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0029
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000020
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.750
元素家族
N/A
溶质分数
0.250
间隙分数
0.000
ROM 混合特征雷达
评级与分类
评级 Tier
A
评分
0.658
家族
Binary Alloy
基质元素
Ga · 0.750
关联任务
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-1184355
参考引用
The crystal structure and related material properties of Ga3Ge were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1184355, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ga3Ge
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 6.18115949
_cell_length_b 6.18115949
_cell_length_c 4.72703700
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 119.99999458
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Ga3Ge
_chemical_formula_sum 'Ga6 Ge2'
_cell_volume 156.40821400
_cell_formula_units_Z 2
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ga Ga0 1 0.16636800 0.33273500 0.25000000 1.0
Ga Ga1 1 0.66726500 0.83363200 0.25000000 1.0
Ga Ga2 1 0.16636800 0.83363200 0.25000000 1.0
Ga Ga3 1 0.83363200 0.66726500 0.75000000 1.0
Ga Ga4 1 0.33273500 0.16636800 0.75000000 1.0
Ga Ga5 1 0.83363200 0.16636800 0.75000000 1.0
Ge Ge6 1 0.33333300 0.66666700 0.75000000 1.0
Ge Ge7 1 0.66666700 0.33333300 0.25000000 1.0
