In3Sn
传统材料 TRAMP-ID: mp-1184894 · 空间群: Pm-3m (#221)
基础信息
化学式
In3Sn
MP-ID
mp-1184894
元素数
2
位点数
4
密度
7.1347
g/cm³
体积
107.80
ų
晶胞参数 a
4.7592
Å
晶胞参数 b
4.7592
Å
晶胞参数 c
4.7592
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pm-3m
点群
m-3m
晶体系统
Cubic
Bravais 格子
cP
稳定性
No
堆积分数
0.5236
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 11）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 32.59 | 2.7477 | 100.0 | (1,1,1) |
| 37.81 | 2.3796 | 33.4 | (0,2,0) |
| 37.81 | 2.3796 | 16.7 | (2,0,0) |
| 54.54 | 1.6826 | 34.0 | (2,2,0) |
| 64.99 | 1.4350 | 26.6 | (1,3,1) |
| 64.99 | 1.4350 | 13.3 | (3,1,1) |
| 68.27 | 1.3739 | 11.5 | (2,2,2) |
| 80.77 | 1.1898 | 3.6 | (0,4,0) |
| 80.77 | 1.1898 | 1.8 | (4,0,0) |
| 89.83 | 1.0918 | 5.8 | (1,3,3) |
| 89.83 | 1.0918 | 11.6 | (3,3,1) |
能量属性
形成能/原子
0.06192
eV/atom
能量/原子
-23.05857
eV/atom
凸包距离
0.0619
eV/atom
未修正能量
-23.0586
eV/atom
体积/原子
26.95
ų
c/a 比
1.0000
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
Yes
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
Unknown
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
In · 0.750
元素家族
N/A
溶质分数
0.250
间隙分数
0.000
ROM 混合特征雷达
评级与分类
评级 Tier
A
评分
0.680
家族
Binary Alloy
基质元素
In · 0.750
关联任务
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-1184894
参考引用
The crystal structure and related material properties of In3Sn were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1184894, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_In3Sn
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 4.75923232
_cell_length_b 4.75923336
_cell_length_c 4.75923336
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural In3Sn
_chemical_formula_sum 'In3 Sn1'
_cell_volume 107.79805017
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
In In0 1 0.00000000 0.50000000 0.50000000 1.0
In In1 1 0.50000000 -0.00000000 0.50000000 1.0
In In2 1 0.50000000 0.50000000 -0.00000000 1.0
Sn Sn3 1 -0.00000000 -0.00000000 -0.00000000 1.0
