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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

MP-ID: mp-1185142 · 空间群: C2/m (#12)

基础信息

化学式
Dy4Ga21Ni10
MP-ID
mp-1185142
元素数
3
位点数
35
密度
8.2411
g/cm³
体积
544.26
ų
晶胞参数 a
10.6845
Å
晶胞参数 b
10.6845
Å
晶胞参数 c
15.5308
Å
α 角
55.70
°
β 角
55.70
°
γ 角
22.02
°
空间群
C2/m
点群
2/m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.50911
eV/atom
能量/原子
-4.50525
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-4.5053
eV/atom
体积/原子
15.55
ų
c/a 比
1.4536

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0026
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.600
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.400
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9123
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
7.5850
J/mol·K
Ω 参数
0.4798
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
10.757%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2028
越小混合越稳定
VEC
5.800
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-13.714
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8304
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-1185142
参考引用

The crystal structure and related material properties of Dy4Ga21Ni10 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1185142, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Dy4Ga21Ni10
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   10.68444855
_cell_length_b   10.68444855
_cell_length_c   15.53075274
_cell_angle_alpha   55.70475274
_cell_angle_beta   55.70475274
_cell_angle_gamma   22.01793071
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Dy4Ga21Ni10
_chemical_formula_sum   'Dy4 Ga21 Ni10'
_cell_volume   544.26164168
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Dy  Dy0  1  0.77059000  0.77059000  0.32362200  1.0
  Dy  Dy1  1  0.22941000  0.22941000  0.67637800  1.0
  Dy  Dy2  1  0.12052000  0.12052000  0.16628100  1.0
  Dy  Dy3  1  0.87948000  0.87948000  0.83371900  1.0
  Ga  Ga4  1  0.39868100  0.39868100  0.49717100  1.0
  Ga  Ga5  1  0.60131900  0.60131900  0.50282900  1.0
  Ga  Ga6  1  0.38598900  0.38598900  0.20468300  1.0
  Ga  Ga7  1  0.61401100  0.61401100  0.79531700  1.0
  Ga  Ga8  1  0.24810700  0.24810700  0.20587600  1.0
  Ga  Ga9  1  0.75189300  0.75189300  0.79412400  1.0
  Ga  Ga10  1  0.00659900  0.00659900  0.40913900  1.0
  Ga  Ga11  1  0.99340100  0.99340100  0.59086100  1.0
  Ga  Ga12  1  0.62708100  0.62708100  0.30563700  1.0
  Ga  Ga13  1  0.37291900  0.37291900  0.69436300  1.0
  Ga  Ga14  1  0.93555500  0.93555500  0.29485100  1.0
  Ga  Ga15  1  0.06444500  0.06444500  0.70514900  1.0
  Ga  Ga16  1  0.53996600  0.53996600  0.13154200  1.0
  Ga  Ga17  1  0.46003400  0.46003400  0.86845800  1.0
  Ga  Ga18  1  0.88191600  0.88191600  0.05510200  1.0
  Ga  Ga19  1  0.11808400  0.11808400  0.94489800  1.0
  Ga  Ga20  1  0.50000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga21  1  0.29753200  0.29753200  0.00317600  1.0
  Ga  Ga22  1  0.70246800  0.70246800  0.99682400  1.0
  Ga  Ga23  1  0.79991600  0.79991600  0.50164600  1.0
  Ga  Ga24  1  0.20008400  0.20008400  0.49835400  1.0
  Ni  Ni25  1  0.97573400  0.97573400  0.10594600  1.0
  Ni  Ni26  1  0.02426600  0.02426600  0.89405400  1.0
  Ni  Ni27  1  0.34713400  0.34713400  0.38926300  1.0
  Ni  Ni28  1  0.65286600  0.65286600  0.61073700  1.0
  Ni  Ni29  1  0.74940600  0.74940600  0.11538800  1.0
  Ni  Ni30  1  0.25059400  0.25059400  0.88461200  1.0
  Ni  Ni31  1  0.13220700  0.13220700  0.39742100  1.0
  Ni  Ni32  1  0.86779300  0.86779300  0.60257900  1.0
  Ni  Ni33  1  0.50271800  0.50271800  0.31442900  1.0
  Ni  Ni34  1  0.49728200  0.49728200  0.68557100  1.0
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