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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

ThSiRh

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-1206329 · 空间群: I4_1md (#109)

基础信息

化学式
ThSiRh
MP-ID
mp-1206329
元素数
3
位点数
6
密度
9.6447
g/cm³
体积
125.01
ų
晶胞参数 a
7.7684
Å
晶胞参数 b
7.7684
Å
晶胞参数 c
7.7684
Å
α 角
148.86
°
β 角
148.86
°
γ 角
44.62
°
空间群
I4_1md
点群
4mm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-1.05293
eV/atom
能量/原子
-36.51468
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-36.5147
eV/atom
体积/原子
20.83
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
Yes
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
Unknown
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Th · 0.333
元素家族
Actinide
溶质分数
0.667
间隙分数
0.333
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0986
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.1339
J/mol·K
Ω 参数
5.3005
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
18.524%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.4034
越小混合越稳定
VEC
5.000
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-3.469
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
1.0000
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-1206329
参考引用

The crystal structure and related material properties of ThSiRh were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1206329, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_ThSiRh
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.76844245
_cell_length_b   7.76844245
_cell_length_c   7.76844245
_cell_angle_alpha   148.85823329
_cell_angle_beta   148.85823329
_cell_angle_gamma   44.62002136
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   ThSiRh
_chemical_formula_sum   'Th2 Si2 Rh2'
_cell_volume   125.00692182
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.57843952  0.57843952  0.00000000  1.0
  Th  Th1  1  0.32843952  0.82843952  0.50000000  1.0
  Si  Si2  1  0.00009995  0.00009995  0.00000000  1.0
  Si  Si3  1  0.75009995  0.25009995  0.50000000  1.0
  Rh  Rh4  1  0.16846053  0.16846053  -0.00000000  1.0
  Rh  Rh5  1  0.91846053  0.41846053  0.50000000  1.0
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