ThSiOs2C

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-1208232 · 空间群: Cmcm (#63)

Materials Project API

基础信息

化学式

ThSiOs2C

MP-ID

mp-1208232

元素数

位点数

密度

13.4208

g/cm³

体积

161.49

Å³

晶胞参数 a

5.9637

晶胞参数 b

5.9637

晶胞参数 c

7.1935

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

140.86

空间群

Cmcm

点群

mmm

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.52111

eV/atom

能量/原子

-9.42609

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-9.4261

eV/atom

体积/原子

16.15

Å³

c/a 比

1.2062

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0005

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Os · 0.400

元素家族

5d-TM

溶质分数

0.600

间隙分数

0.400

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3322

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

11.0757

J/mol·K

Ω 参数

3.1476

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

25.799%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.4190

越小混合越稳定

VEC

5.200

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-10.019

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9610

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（5 个）

aaadavat aaadojgz aaadvvio aaaeqhyl aaafbhid

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-1208232

参考引用

The crystal structure and related material properties of ThSiOs2C were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1208232, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_ThSiOs2C
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   5.96367601
_cell_length_b   5.96367601
_cell_length_c   7.19352500
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   140.86062325
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   ThSiOs2C
_chemical_formula_sum   'Th2 Si2 Os4 C2'
_cell_volume   161.48902875
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.55338200  0.44661800  0.25000000  1.0
  Th  Th1  1  0.44661800  0.55338200  0.75000000  1.0
  Si  Si2  1  0.27248100  0.72751900  0.25000000  1.0
  Si  Si3  1  0.72751900  0.27248100  0.75000000  1.0
  Os  Os4  1  0.83444900  0.16555100  0.05623000  1.0
  Os  Os5  1  0.16555100  0.83444900  0.94377000  1.0
  Os  Os6  1  0.16555100  0.83444900  0.55623000  1.0
  Os  Os7  1  0.83444900  0.16555100  0.44377000  1.0
  C  C8  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  C  C9  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0

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