Hf(SiO)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-1212568 · 空间群: I4_1/amd (#141)

Materials Project API

基础信息

化学式

Hf(SiO)2

MP-ID

mp-1212568

元素数

位点数

密度

2.9387

g/cm³

体积

602.72

Å³

晶胞参数 a

9.8011

晶胞参数 b

9.8011

晶胞参数 c

9.8011

α 角

125.42

β 角

125.42

γ 角

80.85

空间群

I4_1/amd

点群

4/mmm

晶体系统

Tetragonal

Bravais 格子

稳定性

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-1.27682

eV/atom

能量/原子

-7.41757

eV/atom

凸包距离

1.1351

eV/atom

未修正能量

-7.1428

eV/atom

体积/原子

30.14

Å³

c/a 比

1.0000

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

1.4189

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.002350

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Si · 0.400

元素家族

Metalloid-Nonmetal

溶质分数

0.600

间隙分数

0.400

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0549

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.7706

J/mol·K

Ω 参数

0.5472

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

37.050%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.8801

越小混合越稳定

VEC

4.000

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-19.200

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9602

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（2 个）

aaacyiaz aaadrvzx

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-1212568

参考引用

The crystal structure and related material properties of Hf(SiO)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1212568, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Hf(SiO)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.80109715
_cell_length_b   9.80109715
_cell_length_c   9.80109715
_cell_angle_alpha   125.41848302
_cell_angle_beta   125.41848302
_cell_angle_gamma   80.84602464
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Hf(SiO)2
_chemical_formula_sum   'Hf4 Si8 O8'
_cell_volume   602.72301834
_cell_formula_units_Z   4
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Hf  Hf0  1  0.87500000  0.12500000  0.75000000  1.0
  Hf  Hf1  1  0.37500000  0.12500000  0.25000000  1.0
  Hf  Hf2  1  0.87500000  0.62500000  0.75000000  1.0
  Hf  Hf3  1  0.87500000  0.12500000  0.25000000  1.0
  Si  Si4  1  0.66905200  0.34386000  0.32519200  1.0
  Si  Si5  1  0.01866800  0.34386000  0.67480800  1.0
  Si  Si6  1  0.09386000  0.26866800  0.17480800  1.0
  Si  Si7  1  0.73133200  0.90614000  0.82519200  1.0
  Si  Si8  1  0.08094800  0.90614000  0.17480800  1.0
  Si  Si9  1  0.09386000  0.91905200  0.82519200  1.0
  Si  Si10  1  0.65614000  0.98133200  0.32519200  1.0
  Si  Si11  1  0.65614000  0.33094800  0.67480800  1.0
  O  O12  1  0.46901100  0.25762400  0.21138700  1.0
  O  O13  1  0.04623700  0.25762400  0.78861300  1.0
  O  O14  1  0.00762400  0.29623700  0.28861300  1.0
  O  O15  1  0.70376300  0.99237600  0.71138700  1.0
  O  O16  1  0.28098900  0.99237600  0.28861300  1.0
  O  O17  1  0.00762400  0.71901100  0.71138700  1.0
  O  O18  1  0.74237600  0.95376300  0.21138700  1.0
  O  O19  1  0.74237600  0.53098900  0.78861300  1.0

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