VSiGe

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-1216245 · 空间群: P3_212 (#153)

Materials Project API

基础信息

化学式

VSiGe

MP-ID

mp-1216245

元素数

位点数

密度

6.0834

g/cm³

体积

124.20

Å³

晶胞参数 a

4.6939

晶胞参数 b

4.6939

晶胞参数 c

6.5091

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P3_212

点群

晶体系统

Trigonal

Bravais 格子

稳定性

堆积分数

0.7405

能量属性

形成能/原子

-0.29087

eV/atom

能量/原子

-6.66829

eV/atom

凸包距离

0.0460

eV/atom

未修正能量

-6.6683

eV/atom

体积/原子

13.80

Å³

c/a 比

1.3867

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

0.4961

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.003990

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

V · 0.333

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.667

间隙分数

0.333

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0986

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.1339

J/mol·K

Ω 参数

0.6773

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

5.541%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.1597

越小混合越稳定

VEC

4.333

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-22.843

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

1.0000

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（5 个）

aaadecnn aaadoeof aaadvsuz aaaeqden aaafbaht

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-1216245

参考引用

The crystal structure and related material properties of VSiGe were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1216245, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_VSiGe
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.69387476
_cell_length_b   4.69387476
_cell_length_c   6.50906700
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.00001067
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   VSiGe
_chemical_formula_sum   'V3 Si3 Ge3'
_cell_volume   124.19734784
_cell_formula_units_Z   3
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.16815700  0.83184300  0.16666700  1.0
  V  V1  1  0.16815700  0.33631400  0.83333300  1.0
  V  V2  1  0.66368600  0.83184300  0.50000000  1.0
  Si  Si3  1  0.50175900  0.49824100  0.16666700  1.0
  Si  Si4  1  0.50175900  0.00351700  0.83333300  1.0
  Si  Si5  1  0.99648300  0.49824100  0.50000000  1.0
  Ge  Ge6  1  0.83092000  0.16908000  0.16666700  1.0
  Ge  Ge7  1  0.83092000  0.66183900  0.83333300  1.0
  Ge  Ge8  1  0.33816100  0.16908000  0.50000000  1.0

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