VCrSi

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-1216382 · 空间群: Amm2 (#38)

Materials Project API

基础信息

化学式

VCrSi

MP-ID

mp-1216382

元素数

位点数

密度

5.7632

g/cm³

体积

151.01

Å³

晶胞参数 a

4.8568

晶胞参数 b

4.8568

晶胞参数 c

7.5196

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

121.64

空间群

Amm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.15662

eV/atom

能量/原子

-12.80218

eV/atom

凸包距离

0.2461

eV/atom

未修正能量

-8.2794

eV/atom

体积/原子

12.58

Å³

c/a 比

1.5483

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0034

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000020

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

V · 0.333

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.667

间隙分数

0.333

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0986

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.1339

J/mol·K

Ω 参数

0.4764

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

5.572%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.1208

越小混合越稳定

VEC

5.000

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-38.667

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

1.0000

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（2 个）

aaadbaty aaadvdrm

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-1216382

参考引用

The crystal structure and related material properties of VCrSi were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1216382, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_VCrSi
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.85677194
_cell_length_b   4.85677194
_cell_length_c   7.51955500
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   121.64124484
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   VCrSi
_chemical_formula_sum   'V4 Cr4 Si4'
_cell_volume   151.00643546
_cell_formula_units_Z   4
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.33392100  0.66607900  0.18525400  1.0
  V  V1  1  0.66622100  0.33377900  0.31169000  1.0
  V  V2  1  0.66622100  0.33377900  0.68831000  1.0
  V  V3  1  0.33392100  0.66607900  0.81474600  1.0
  Cr  Cr4  1  0.00311600  0.99688400  0.24956700  1.0
  Cr  Cr5  1  0.00311600  0.99688400  0.75043300  1.0
  Cr  Cr6  1  0.82890300  0.66336400  0.00000000  1.0
  Cr  Cr7  1  0.33663600  0.17109700  0.00000000  1.0
  Si  Si8  1  0.82551800  0.17448200  0.00000000  1.0
  Si  Si9  1  0.17223400  0.34117600  0.50000000  1.0
  Si  Si10  1  0.65882400  0.82776600  0.50000000  1.0
  Si  Si11  1  0.17156900  0.82843100  0.50000000  1.0

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