导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

V9GaSiGe

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-1216511 · 空间群: Pmm2 (#25)

基础信息

化学式
V9GaSiGe
MP-ID
mp-1216511
元素数
4
位点数
24
密度
6.4765
g/cm³
体积
322.50
ų
晶胞参数 a
4.7646
Å
晶胞参数 b
4.7691
Å
晶胞参数 c
14.1932
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pmm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oP
稳定性
No
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.32029
eV/atom
能量/原子
-8.22292
eV/atom
凸包距离
0.0046
eV/atom
未修正能量
-8.2229
eV/atom
体积/原子
13.44
ų
c/a 比
2.9789

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0756
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000230
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.750
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.250
间隙分数
0.083
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.8370
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
6.9587
J/mol·K
Ω 参数
1.0842
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
3.908%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1266
越小混合越稳定
VEC
4.667
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-12.221
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.6038
固溶体倾向
1
相趋势
SS

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-1216511
参考引用

The crystal structure and related material properties of V9GaSiGe were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1216511, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V9GaSiGe
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.76455300
_cell_length_b   4.76905000
_cell_length_c   14.19323400
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V9GaSiGe
_chemical_formula_sum   'V18 Ga2 Si2 Ge2'
_cell_volume   322.50421938
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.50000000  0.00000000  0.75053600  1.0
  V  V1  1  0.50000000  0.00000000  0.41627300  1.0
  V  V2  1  0.50000000  0.00000000  0.08248000  1.0
  V  V3  1  0.24317600  0.50000000  0.00349300  1.0
  V  V4  1  0.24594700  0.50000000  0.66664900  1.0
  V  V5  1  0.24955900  0.50000000  0.32974800  1.0
  V  V6  1  0.00000000  0.75192700  0.83637100  1.0
  V  V7  1  0.00000000  0.74959600  0.49976400  1.0
  V  V8  1  0.00000000  0.74503900  0.16402400  1.0
  V  V9  1  0.50000000  0.00000000  0.91855000  1.0
  V  V10  1  0.50000000  0.00000000  0.58349500  1.0
  V  V11  1  0.50000000  0.00000000  0.24866100  1.0
  V  V12  1  0.75682400  0.50000000  0.00349300  1.0
  V  V13  1  0.75405300  0.50000000  0.66664900  1.0
  V  V14  1  0.75044100  0.50000000  0.32974800  1.0
  V  V15  1  0.00000000  0.24807300  0.83637100  1.0
  V  V16  1  0.00000000  0.25040400  0.49976400  1.0
  V  V17  1  0.00000000  0.25496100  0.16402400  1.0
  Ga  Ga18  1  0.50000000  0.50000000  0.83447500  1.0
  Ga  Ga19  1  0.50000000  0.50000000  0.49902200  1.0
  Si  Si20  1  0.50000000  0.50000000  0.16647200  1.0
  Si  Si21  1  0.00000000  0.00000000  0.00067200  1.0
  Ge  Ge22  1  0.00000000  0.00000000  0.66724100  1.0
  Ge  Ge23  1  0.00000000  0.00000000  0.33202300  1.0
获取直接链接