U3(Ga2Cu)4

高熵材料 HEA 传统材料 TRA

MP-ID: mp-1216933 · 空间群: I-4m2 (#119)

Materials Project API

基础信息

化学式

U3(Ga2Cu)4

MP-ID

mp-1216933

元素数

位点数

密度

9.5678

g/cm³

体积

264.86

Å³

晶胞参数 a

4.0930

晶胞参数 b

4.0930

晶胞参数 c

16.0729

α 角

82.68

β 角

82.68

γ 角

90.00

空间群

I-4m2

点群

-42m

晶体系统

Tetragonal

Bravais 格子

稳定性

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.11309

eV/atom

能量/原子

-5.07947

eV/atom

凸包距离

0.0646

eV/atom

未修正能量

-5.0795

eV/atom

体积/原子

17.66

Å³

c/a 比

3.9270

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

7.5069

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.028340

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ga · 0.533

元素家族

PostTransition-Noble

溶质分数

0.467

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0096

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.3939

J/mol·K

Ω 参数

1.9790

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

12.179%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.1879

越小混合越稳定

VEC

5.667

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-3.413

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9190

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaaegahk

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-1216933

参考引用

The crystal structure and related material properties of U3(Ga2Cu)4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1216933, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_U3(Ga2Cu)4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.09295100
_cell_length_b   4.09295100
_cell_length_c   16.07285336
_cell_angle_alpha   82.68496229
_cell_angle_beta   82.68496229
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   U3(Ga2Cu)4
_chemical_formula_sum   'U3 Ga8 Cu4'
_cell_volume   264.85536768
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  U  U0  1  0.99758100  0.99758100  0.00483800  1.0
  U  U1  1  0.33575200  0.33575200  0.32849500  1.0
  U  U2  1  0.66666700  0.66666700  0.66666700  1.0
  Ga  Ga3  1  0.75050300  0.25050300  0.49899400  1.0
  Ga  Ga4  1  0.08283000  0.58283000  0.83433900  1.0
  Ga  Ga5  1  0.45825800  0.45825800  0.08348300  1.0
  Ga  Ga6  1  0.79704700  0.79704700  0.40590600  1.0
  Ga  Ga7  1  0.12818100  0.12818100  0.74363800  1.0
  Ga  Ga8  1  0.87507500  0.87507500  0.24985000  1.0
  Ga  Ga9  1  0.20515300  0.20515300  0.58969600  1.0
  Ga  Ga10  1  0.53628600  0.53628600  0.92742700  1.0
  Cu  Cu11  1  0.91666700  0.41666700  0.16666700  1.0
  Cu  Cu12  1  0.24992600  0.74992600  0.50014800  1.0
  Cu  Cu13  1  0.58340700  0.08340700  0.83318500  1.0
  Cu  Cu14  1  0.41666700  0.91666700  0.16666700  1.0

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