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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

InGa5As4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-1224045 · 空间群: R3m (#160)

基础信息

化学式
InGa5As4
MP-ID
mp-1224045
元素数
3
位点数
10
密度
4.9875
g/cm³
体积
254.07
ų
晶胞参数 a
4.1106
Å
晶胞参数 b
4.1106
Å
晶胞参数 c
17.5243
Å
α 角
96.74
°
β 角
83.26
°
γ 角
120.00
°
空间群
R3m
点群
3m
晶体系统
Trigonal
Bravais 格子
hR
稳定性
No
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.28657
eV/atom
能量/原子
-14.14883
eV/atom
凸包距离
0.0705
eV/atom
未修正能量
-3.8644
eV/atom
体积/原子
25.41
ų
c/a 比
4.2632

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.500
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.500
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9433
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
7.8430
J/mol·K
Ω 参数
2.7426
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
11.883%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1839
越小混合越稳定
VEC
3.000
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.803
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8587
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-1224045
参考引用

The crystal structure and related material properties of InGa5As4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1224045, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_InGa5As4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.11058425
_cell_length_b   4.11058425
_cell_length_c   17.52431556
_cell_angle_alpha   96.73528250
_cell_angle_beta   83.26471750
_cell_angle_gamma   120.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   InGa5As4
_chemical_formula_sum   'In1 Ga5 As4'
_cell_volume   254.07346555
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  In  In0  1  0.35408700  0.64591300  0.93773800  1.0
  Ga  Ga1  1  0.99195400  0.00804600  0.02413800  1.0
  Ga  Ga2  1  0.59577700  0.40422300  0.21266900  1.0
  Ga  Ga3  1  0.19925700  0.80074300  0.40222800  1.0
  Ga  Ga4  1  0.80278900  0.19721100  0.59163400  1.0
  Ga  Ga5  1  0.40607800  0.59392200  0.78176500  1.0
  As  As6  1  0.94524300  0.05475700  0.16427000  1.0
  As  As7  1  0.54819000  0.45181000  0.35543100  1.0
  As  As8  1  0.15145700  0.84854300  0.54562900  1.0
  As  As9  1  0.75516800  0.24483200  0.73449700  1.0
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