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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

GaRe

传统材料 TRA

MP-ID: mp-1224777 · 空间群: P-6m2 (#187)

基础信息

化学式
GaRe
MP-ID
mp-1224777
元素数
2
位点数
2
密度
14.2190
g/cm³
体积
29.89
ų
晶胞参数 a
2.8919
Å
晶胞参数 b
2.8919
Å
晶胞参数 c
4.1267
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.00
°
空间群
P-6m2
点群
-6m2
晶体系统
Hexagonal
Bravais 格子
hP
稳定性
No
堆积分数
0.7405

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 16)
2θd (Å)Ihkl
21.53 4.1267 32.1 (0,0,0,1)
35.86 2.5045 57.2 (1,0,-1,0)
42.21 2.1410 50.0 (1,-1,0,1)
42.21 2.1410 100.0 (1,0,-1,1)
43.88 2.0634 28.1 (0,0,0,2)
57.91 1.5925 29.3 (1,0,-1,2)
64.44 1.4460 26.8 (2,-1,-1,0)
68.17 1.3756 1.5 (0,0,0,3)
68.80 1.3646 8.7 (2,-1,-1,1)
76.00 1.2522 2.2 (2,-2,0,0)
76.00 1.2522 4.4 (2,0,-2,0)
79.50 1.2057 23.7 (1,0,-1,3)
80.09 1.1983 7.7 (2,-2,0,1)
80.09 1.1983 15.5 (2,0,-2,1)
81.24 1.1841 18.7 (2,-1,-1,2)
81.24 1.1841 9.3 (1,1,-2,2)
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能量属性

形成能/原子
0.07847
eV/atom
能量/原子
-31.84823
eV/atom
凸包距离
0.1780
eV/atom
未修正能量
-7.6214
eV/atom
体积/原子
14.94
ų
c/a 比
1.4270

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0002
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.500
元素家族
N/A
溶质分数
0.500
间隙分数
0.000
ROM 混合特征雷达
评级与分类
评级 Tier
A
评分
0.506
家族
Binary Alloy
基质元素
Ga · 0.500

关联任务

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-1224777
参考引用

The crystal structure and related material properties of GaRe were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1224777, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_GaRe
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   2.89189429
_cell_length_b   2.89189429
_cell_length_c   4.12673100
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.00000656
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   GaRe
_chemical_formula_sum   'Ga1 Re1'
_cell_volume   29.88832589
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ga  Ga0  1  0.33333300  0.66666700  0.50000000  1.0
  Re  Re1  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
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