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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ga4Bi3As

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-1224862 · 空间群: R3m (#160)

基础信息

化学式
Ga4Bi3As
MP-ID
mp-1224862
元素数
3
位点数
8
密度
6.4757
g/cm³
体积
251.49
ų
晶胞参数 a
14.5739
Å
晶胞参数 b
14.5739
Å
晶胞参数 c
14.5739
Å
α 角
17.76
°
β 角
17.76
°
γ 角
17.76
°
空间群
R3m
点群
3m
晶体系统
Trigonal
Bravais 格子
hR
稳定性
No
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.01658
eV/atom
能量/原子
-29.51477
eV/atom
凸包距离
0.1002
eV/atom
未修正能量
-3.5432
eV/atom
体积/原子
31.44
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0046
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000020
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.500
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.500
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9743
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.1005
J/mol·K
Ω 参数
0.5708
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
10.853%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1343
越小混合越稳定
VEC
3.750
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-6.981
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8869
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(2 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-1224862
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ga4Bi3As were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1224862, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ga4Bi3As
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   14.57386920
_cell_length_b   14.57386920
_cell_length_c   14.57386905
_cell_angle_alpha   17.76254845
_cell_angle_beta   17.76254845
_cell_angle_gamma   17.76254816
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ga4Bi3As
_chemical_formula_sum   'Ga4 Bi3 As1'
_cell_volume   251.49322312
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ga  Ga0  1  0.05791200  0.05791200  0.05791200  1.0
  Ga  Ga1  1  0.81208000  0.81208000  0.81208000  1.0
  Ga  Ga2  1  0.56396300  0.56396300  0.56396300  1.0
  Ga  Ga3  1  0.31738900  0.31738900  0.31738900  1.0
  Bi  Bi4  1  0.74755100  0.74755100  0.74755100  1.0
  Bi  Bi5  1  0.49961700  0.49961700  0.49961700  1.0
  Bi  Bi6  1  0.25197400  0.25197400  0.25197400  1.0
  As  As7  1  0.99951400  0.99951400  0.99951400  1.0
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