Ga4BiN3
高熵材料 HEAMP-ID: mp-1224974 · 空间群: R3m (#160)
基础信息
化学式
Ga4BiN3
MP-ID
mp-1224974
元素数
3
位点数
8
密度
7.0504
g/cm³
体积
124.80
ų
晶胞参数 a
3.2607
Å
晶胞参数 b
3.2607
Å
晶胞参数 c
13.6842
Å
α 角
83.16
°
β 角
96.84
°
γ 角
120.00
°
空间群
R3m
点群
3m
晶体系统
Trigonal
Bravais 格子
hR
稳定性
No
堆积分数
-
能量属性
形成能/原子
-0.33875
eV/atom
能量/原子
-16.79621
eV/atom
凸包距离
0.1655
eV/atom
未修正能量
-5.3182
eV/atom
体积/原子
15.60
ų
c/a 比
4.1967
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0001
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.500
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.500
间隙分数
0.375
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9743
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
8.1005
J/mol·K
Ω 参数
0.0417
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
28.061%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.5790
越小混合越稳定
VEC
4.000
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-47.258
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8869
固溶体倾向
0
相趋势
AM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-1224974
参考引用
The crystal structure and related material properties of Ga4BiN3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1224974, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ga4BiN3
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 3.26069706
_cell_length_b 3.26069706
_cell_length_c 13.68416468
_cell_angle_alpha 83.15745554
_cell_angle_beta 96.84254446
_cell_angle_gamma 120.00000000
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Ga4BiN3
_chemical_formula_sum 'Ga4 Bi1 N3'
_cell_volume 124.80174818
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ga Ga0 1 0.06785200 0.93214800 0.20355500 1.0
Ga Ga1 1 0.79837800 0.20162200 0.39513400 1.0
Ga Ga2 1 0.53003000 0.46997000 0.59009000 1.0
Ga Ga3 1 0.33644800 0.66355200 0.00934400 1.0
Bi Bi4 1 0.26598900 0.73401100 0.79796800 1.0
N N5 1 0.01989700 0.98010300 0.05969000 1.0
N N6 1 0.75050600 0.24949400 0.25151800 1.0
N N7 1 0.48090000 0.51910000 0.44270000 1.0