Cd4InTe4As

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-1226829 · 空间群: I4/mmm (#139)

Materials Project API

基础信息

化学式

Cd4InTe4As

MP-ID

mp-1226829

元素数

位点数

密度

6.8610

g/cm³

体积

278.28

Å³

晶胞参数 a

15.4755

晶胞参数 b

15.4755

晶胞参数 c

15.4755

α 角

164.10

β 角

164.10

γ 角

22.57

空间群

I4/mmm

点群

4/mmm

晶体系统

Tetragonal

Bravais 格子

稳定性

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 18）

2θ	d (Å)	I	hkl
5.82	15.1764	1.0	(1,1,-1)
29.31	3.0468	1.8	(4,3,-3)
29.43	3.0353	48.2	(5,5,-5)
29.50	3.0279	100.0	(0,0,1)
33.83	2.6495	2.4	(5,4,-4)
42.15	2.1437	71.6	(5,5,-4)
42.21	2.1410	37.3	(1,-1,1)
52.29	1.7496	37.6	(6,4,-4)
55.15	1.6653	1.2	(5,4,-3)
61.06	1.5176	5.1	(10,10,-10)
61.22	1.5139	12.0	(0,0,2)
62.00	1.4968	1.4	(10,9,-9)
69.25	1.3568	13.9	(10,10,-9)
69.37	1.3548	15.7	(5,5,-3)
69.41	1.3541	16.4	(1,-1,2)
77.02	1.2381	10.3	(11,9,-9)
77.13	1.2366	23.2	(6,4,-3)
77.87	1.2267	1.5	(10,9,-8)

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能量属性

形成能/原子

-0.16813

eV/atom

能量/原子

-2.55239

eV/atom

凸包距离

0.3964

eV/atom

未修正能量

-2.5524

eV/atom

体积/原子

27.83

Å³

c/a 比

1.0000

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0001

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Cd · 0.400

元素家族

4d-TM

溶质分数

0.600

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.1936

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.9232

J/mol·K

Ω 参数

3.6617

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

8.820%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2068

越小混合越稳定

VEC

7.000

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-1.839

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8610

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（2 个）

aaaduovn aaaecyde

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-1226829

参考引用

The crystal structure and related material properties of Cd4InTe4As were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1226829, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Cd4InTe4As
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   15.47552087
_cell_length_b   15.47552087
_cell_length_c   15.47552087
_cell_angle_alpha   164.09522171
_cell_angle_beta   164.09522171
_cell_angle_gamma   22.56617651
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Cd4InTe4As
_chemical_formula_sum   'Cd4 In1 Te4 As1'
_cell_volume   278.27821585
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Cd  Cd0  1  0.90721700  0.90721700  0.00000000  1.0
  Cd  Cd1  1  0.29874000  0.29874000  0.00000000  1.0
  Cd  Cd2  1  0.70126000  0.70126000  0.00000000  1.0
  Cd  Cd3  1  0.09278300  0.09278300  0.00000000  1.0
  In  In4  1  0.50000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Te  Te5  1  0.80085100  0.80085100  0.00000000  1.0
  Te  Te6  1  0.19914900  0.19914900  0.00000000  1.0
  Te  Te7  1  0.60085700  0.60085700  0.00000000  1.0
  Te  Te8  1  0.39914300  0.39914300  0.00000000  1.0
  As  As9  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0

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