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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Cd2SnGeAs4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-1226967 · 空间群: I-4 (#82)

基础信息

化学式
Cd2SnGeAs4
MP-ID
mp-1226967
元素数
4
位点数
8
密度
5.3185
g/cm³
体积
223.50
ų
晶胞参数 a
7.3379
Å
晶胞参数 b
7.3379
Å
晶胞参数 c
7.3379
Å
α 角
130.46
°
β 角
130.46
°
γ 角
72.68
°
空间群
I-4
点群
-4
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
No
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.09378
eV/atom
能量/原子
-3.74792
eV/atom
凸包距离
0.0029
eV/atom
未修正能量
-3.7479
eV/atom
体积/原子
27.94
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
As · 0.500
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.500
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2130
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.0849
J/mol·K
Ω 参数
2.1804
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.918%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2009
越小混合越稳定
VEC
5.500
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-4.200
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8750
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(4 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-1226967
参考引用

The crystal structure and related material properties of Cd2SnGeAs4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1226967, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Cd2SnGeAs4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.33794342
_cell_length_b   7.33794342
_cell_length_c   7.33794342
_cell_angle_alpha   130.45782302
_cell_angle_beta   130.45782302
_cell_angle_gamma   72.67591258
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Cd2SnGeAs4
_chemical_formula_sum   'Cd2 Sn1 Ge1 As4'
_cell_volume   223.50307941
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Cd  Cd0  1  0.25000000  0.75000000  0.50000000  1.0
  Cd  Cd1  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Sn  Sn2  1  0.50000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Ge  Ge3  1  0.75000000  0.25000000  0.50000000  1.0
  As  As4  1  0.10654300  0.13562100  0.50321500  1.0
  As  As5  1  0.63240600  0.60332900  0.49678500  1.0
  As  As6  1  0.39667100  0.89345700  0.02907700  1.0
  As  As7  1  0.86437900  0.36759400  0.97092300  1.0
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