GaTe4(MoSe)4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-14432 · 空间群: F-43m (#216)

Materials Project API

基础信息

化学式

GaTe4(MoSe)4

MP-ID

mp-14432

元素数

位点数

密度

6.7884

g/cm³

体积

313.04

Å³

晶胞参数 a

7.6214

晶胞参数 b

7.6214

晶胞参数 c

7.6214

α 角

60.00

β 角

60.00

γ 角

60.00

空间群

F-43m

点群

-43m

晶体系统

Cubic

Bravais 格子

稳定性

堆积分数

0.7405

能量属性

形成能/原子

-0.60009

eV/atom

能量/原子

-6.21298

eV/atom

凸包距离

0.0544

eV/atom

未修正能量

-6.0678

eV/atom

体积/原子

24.08

Å³

c/a 比

1.0000

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

1.0013

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.003200

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Te · 0.308

元素家族

Metalloid-Nonmetal

溶质分数

0.692

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2853

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.6859

J/mol·K

Ω 参数

10.8893

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

8.469%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2275

越小混合越稳定

VEC

4.538

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

1.265

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9271

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（5 个）

aaacfott aaadckkg aaadraya aaaeudmn aaafsowg

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-14432

参考引用

The crystal structure and related material properties of GaTe4(MoSe)4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-14432, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_GaTe4(MoSe)4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.62144013
_cell_length_b   7.62144013
_cell_length_c   7.62144013
_cell_angle_alpha   60.00000000
_cell_angle_beta   60.00000000
_cell_angle_gamma   60.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   GaTe4(MoSe)4
_chemical_formula_sum   'Ga1 Te4 Mo4 Se4'
_cell_volume   313.03732934
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ga  Ga0  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Te  Te1  1  0.13840500  0.13840500  0.13840500  1.0
  Te  Te2  1  0.13840500  0.58478600  0.13840500  1.0
  Te  Te3  1  0.13840500  0.13840500  0.58478600  1.0
  Te  Te4  1  0.58478600  0.13840500  0.13840500  1.0
  Mo  Mo5  1  0.40437400  0.40437400  0.78687900  1.0
  Mo  Mo6  1  0.40437400  0.40437400  0.40437400  1.0
  Mo  Mo7  1  0.78687900  0.40437400  0.40437400  1.0
  Mo  Mo8  1  0.40437400  0.78687900  0.40437400  1.0
  Se  Se9  1  0.63088100  0.63088100  0.10735600  1.0
  Se  Se10  1  0.63088100  0.63088100  0.63088100  1.0
  Se  Se11  1  0.10735600  0.63088100  0.63088100  1.0
  Se  Se12  1  0.63088100  0.10735600  0.63088100  1.0

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