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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

MP-ID: mp-3166 · 空间群: I4/mmm (#139)

基础信息

化学式
Th(SiOs)2
MP-ID
mp-3166
元素数
3
位点数
5
密度
12.7462
g/cm³
体积
87.11
ų
晶胞参数 a
4.2276
Å
晶胞参数 b
4.2276
Å
晶胞参数 c
5.7178
Å
α 角
111.70
°
β 角
111.70
°
γ 角
90.00
°
空间群
I4/mmm
点群
4/mmm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.85074
eV/atom
能量/原子
-40.24939
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-40.2494
eV/atom
体积/原子
17.42
ų
c/a 比
1.3525

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
Yes
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
Unknown
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

KVRH
183.234
GPa
GVRH
94.675
GPa
杨氏模量 E
242.295
GPa
泊松比 ν
0.280
Pugh 比 K/G
1.935
柯西压力
-
GPa
维氏硬度估算
-
GPa
韧性
Brittle
各向异性
0.150
Grüneisen 参数
-
拉梅 λ
120.117
GPa

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.400
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.600
间隙分数
0.400
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0549
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.7706
J/mol·K
Ω 参数
10.9951
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
16.850%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3286
越小混合越稳定
VEC
5.200
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.931
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9602
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3166
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th(SiOs)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3166, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th(SiOs)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.22755600
_cell_length_b   4.22755450
_cell_length_c   5.71783692
_cell_angle_alpha   111.69596963
_cell_angle_beta   111.69596826
_cell_angle_gamma   89.99999400
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th(SiOs)2
_chemical_formula_sum   'Th1 Si2 Os2'
_cell_volume   87.11227858
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  -0.00000000  0.00000000  -0.00000000  1.0
  Si  Si1  1  0.63202097  0.63202097  0.26404293  1.0
  Si  Si2  1  0.36797903  0.36797903  0.73595707  1.0
  Os  Os3  1  0.75000000  0.25000000  0.50000000  1.0
  Os  Os4  1  0.25000000  0.75000000  0.50000000  1.0
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