BaIn2GaAg
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3203239 · 空间群: I4mm (#107)
基础信息
化学式
BaIn2GaAg
MP-ID
mp-3203239
元素数
4
位点数
5
密度
6.8784
g/cm³
体积
131.46
ų
晶胞参数 a
6.8640
Å
晶胞参数 b
6.8640
Å
晶胞参数 c
6.8640
Å
α 角
140.18
°
β 角
140.18
°
γ 角
57.58
°
空间群
I4mm
点群
4mm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-
能量属性
形成能/原子
-0.44163
eV/atom
能量/原子
-21.33271
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-21.3327
eV/atom
体积/原子
26.29
ų
c/a 比
1.0000
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
In · 0.400
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.600
间隙分数
0.000
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3322
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
11.0757
J/mol·K
Ω 参数
1.1653
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
16.750%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3781
越小混合越稳定
VEC
4.400
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-6.458
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9610
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3203239
参考引用
The crystal structure and related material properties of BaIn2GaAg were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3203239, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_BaIn2GaAg
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 6.86395087
_cell_length_b 6.86395163
_cell_length_c 6.86395276
_cell_angle_alpha 140.18112982
_cell_angle_beta 140.18113446
_cell_angle_gamma 57.57837538
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural BaIn2GaAg
_chemical_formula_sum 'Ba1 In2 Ga1 Ag1'
_cell_volume 131.46366064
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ba Ba0 1 0.00245063 0.00245063 1.00000000 1.0
In In1 1 0.75023525 0.25023525 0.50000000 1.0
In In2 1 0.25023525 0.75023525 0.50000000 1.0
Ga Ga3 1 0.60863387 0.60863387 0.00000000 1.0
Ag Ag4 1 0.38844600 0.38844600 1.00000000 1.0