V3Si(BW)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3203358 · 空间群: P1 (#1)

Materials Project API

基础信息

化学式

V3Si(BW)2

MP-ID

mp-3203358

元素数

位点数

密度

10.1595

g/cm³

体积

186.40

Å³

晶胞参数 a

6.8248

晶胞参数 b

6.8460

晶胞参数 c

6.8307

α 角

129.24

β 角

129.13

γ 角

75.04

空间群

点群

晶体系统

Triclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.64156

eV/atom

能量/原子

-21.70041

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-21.7004

eV/atom

体积/原子

11.65

Å³

c/a 比

1.0009

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0002

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

V · 0.375

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.625

间隙分数

0.375

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3209

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.9819

J/mol·K

Ω 参数

0.5848

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

16.074%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2877

越小混合越稳定

VEC

4.625

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-47.706

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9528

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahagsc

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3203358

参考引用

The crystal structure and related material properties of V3Si(BW)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3203358, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_V3Si(BW)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.82476172
_cell_length_b   6.84603006
_cell_length_c   6.83070226
_cell_angle_alpha   129.23726164
_cell_angle_beta   129.12733473
_cell_angle_gamma   75.04185884
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V3Si(BW)2
_chemical_formula_sum   'V6 Si2 B4 W4'
_cell_volume   186.39863190
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.19299641  0.03047394  0.49828921  1.0
  V  V1  1  0.47182119  0.30464077  0.49966050  1.0
  V  V2  1  0.80354549  0.97212154  0.49953658  1.0
  V  V3  1  0.30565040  0.80334788  0.83522153  1.0
  V  V4  1  0.00435583  0.00135941  0.00267543  1.0
  V  V5  1  0.49912320  0.50122339  0.99747647  1.0
  Si  Si6  1  0.24537554  0.23541062  0.98829562  1.0
  Si  Si7  1  0.74645227  0.75039318  0.00446723  1.0
  B  B8  1  0.61524016  0.11887868  0.73146818  1.0
  B  B9  1  0.12780289  0.37795271  0.50338115  1.0
  B  B10  1  0.87984541  0.62830289  0.50338767  1.0
  B  B11  1  0.38432298  0.88775809  0.26743796  1.0
  W  W12  1  0.52574556  0.69270042  0.49867400  1.0
  W  W13  1  0.02944699  0.52930146  0.83596687  1.0
  W  W14  1  0.69294952  0.19269833  0.16385980  1.0
  W  W15  1  0.97532716  0.47343669  0.17020280  1.0

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