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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ba2Ga3PIr4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3203376 · 空间群: C2 (#5)

基础信息

化学式
Ba2Ga3PIr4
MP-ID
mp-3203376
元素数
4
位点数
10
密度
9.9467
g/cm³
体积
214.30
ų
晶胞参数 a
8.3062
Å
晶胞参数 b
7.2323
Å
晶胞参数 c
6.1209
Å
α 角
76.43
°
β 角
56.99
°
γ 角
45.75
°
空间群
C2
点群
2
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.74634
eV/atom
能量/原子
-31.32304
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-31.3230
eV/atom
体积/原子
21.43
ų
c/a 比
0.7369

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ir · 0.400
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.600
间隙分数
0.100
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2799
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.6407
J/mol·K
Ω 参数
2.8427
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
22.772%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.4944
越小混合越稳定
VEC
5.400
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-5.309
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9232
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3203376
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ba2Ga3PIr4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3203376, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ba2Ga3PIr4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.30617371
_cell_length_b   7.23230789
_cell_length_c   6.12085048
_cell_angle_alpha   76.42656607
_cell_angle_beta   56.98977762
_cell_angle_gamma   45.75164986
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ba2Ga3PIr4
_chemical_formula_sum   'Ba2 Ga3 P1 Ir4'
_cell_volume   214.29882060
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ba  Ba0  1  0.50121137  0.49878863  0.50121137  1.0
  Ba  Ba1  1  0.75102605  0.74897395  0.75102605  1.0
  Ga  Ga2  1  0.17938125  0.82061875  0.17938125  1.0
  Ga  Ga3  1  0.43003001  0.06996999  0.43003001  1.0
  Ga  Ga4  1  0.07320060  0.42679940  0.07320060  1.0
  P  P5  1  0.82533846  0.17466154  0.82533846  1.0
  Ir  Ir6  1  0.09910070  0.13343313  0.88452948  1.0
  Ir  Ir7  1  0.88452948  0.88293669  0.09910070  1.0
  Ir  Ir8  1  0.10815873  0.13354774  0.39802334  1.0
  Ir  Ir9  1  0.39802334  0.36027018  0.10815873  1.0
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