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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ta10Ga4SiAs

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3203571 · 空间群: Cm (#8)

基础信息

化学式
Ta10Ga4SiAs
MP-ID
mp-3203571
元素数
4
位点数
16
密度
13.7833
g/cm³
体积
264.01
ų
晶胞参数 a
6.6382
Å
晶胞参数 b
7.6058
Å
晶胞参数 c
6.6408
Å
α 角
115.81
°
β 角
90.15
°
γ 角
115.80
°
空间群
Cm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.43989
eV/atom
能量/原子
-35.13806
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-35.1381
eV/atom
体积/原子
16.50
ų
c/a 比
1.0004

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ta · 0.625
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.375
间隙分数
0.063
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9869
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.2051
J/mol·K
Ω 参数
2.6585
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
7.191%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2047
越小混合越稳定
VEC
4.313
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-7.116
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7119
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3203571
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ta10Ga4SiAs were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3203571, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ta10Ga4SiAs
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.63819349
_cell_length_b   7.60582190
_cell_length_c   6.64079457
_cell_angle_alpha   115.80952982
_cell_angle_beta   90.15481255
_cell_angle_gamma   115.79862233
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ta10Ga4SiAs
_chemical_formula_sum   'Ta10 Ga4 Si1 As1'
_cell_volume   264.00594184
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ta  Ta0  1  0.99401099  0.00000000  0.00067578  1.0
  Ta  Ta1  1  0.50293119  1.00000000  0.49826743  1.0
  Ta  Ta2  1  0.51168875  0.69681294  0.69017976  1.0
  Ta  Ta3  1  0.18853495  0.69490446  0.01199204  1.0
  Ta  Ta4  1  0.68314654  0.69961087  0.18266866  1.0
  Ta  Ta5  1  0.00893549  0.69258433  0.50836606  1.0
  Ta  Ta6  1  0.49363249  0.30509554  0.31708957  1.0
  Ta  Ta7  1  0.81487581  0.30318706  0.99336681  1.0
  Ta  Ta8  1  0.31635117  0.30741567  0.81578274  1.0
  Ta  Ta9  1  0.98353667  0.30038913  0.48305779  1.0
  Ga  Ga10  1  0.75194873  0.50023843  0.75301215  1.0
  Ga  Ga11  1  0.25171030  0.49976157  0.25277372  1.0
  Ga  Ga12  1  0.13812222  1.00000000  0.36256661  1.0
  Ga  Ga13  1  0.36426343  0.00000000  0.86687502  1.0
  Si  Si14  1  0.62781668  1.00000000  0.13070643  1.0
  As  As15  1  0.86849759  0.00000000  0.63261944  1.0
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