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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

V10SiGeB4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3204010 · 空间群: I422 (#97)

基础信息

化学式
V10SiGeB4
MP-ID
mp-3204010
元素数
4
位点数
16
密度
6.0402
g/cm³
体积
179.63
ų
晶胞参数 a
6.7567
Å
晶胞参数 b
6.7567
Å
晶胞参数 c
6.7567
Å
α 角
129.38
°
β 角
129.38
°
γ 角
74.40
°
空间群
I422
点群
422
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.70339
eV/atom
能量/原子
-12.76133
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-12.7613
eV/atom
体积/原子
11.23
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.625
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.375
间隙分数
0.313
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9869
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.2051
J/mol·K
Ω 参数
0.3792
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
15.364%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1874
越小混合越稳定
VEC
4.375
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-46.148
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7119
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3204010
参考引用

The crystal structure and related material properties of V10SiGeB4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3204010, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V10SiGeB4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.75664669
_cell_length_b   6.75664628
_cell_length_c   6.75664734
_cell_angle_alpha   129.37917255
_cell_angle_beta   129.37917460
_cell_angle_gamma   74.40122799
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V10SiGeB4
_chemical_formula_sum   'V10 Si1 Ge1 B4'
_cell_volume   179.62611438
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.53548680  0.69731718  0.50513673  1.0
  V  V1  1  0.03035007  0.53548680  0.83816961  1.0
  V  V2  1  0.69731718  0.19217945  0.16183039  1.0
  V  V3  1  0.96451320  0.46964993  0.16183039  1.0
  V  V4  1  0.19217945  0.03035007  0.49486327  1.0
  V  V5  1  0.46964993  0.30782055  0.50513673  1.0
  V  V6  1  0.80268282  0.96451320  0.49486327  1.0
  V  V7  1  0.30782055  0.80268282  0.83816961  1.0
  V  V8  1  0.99955243  0.99955243  0.00000000  1.0
  V  V9  1  0.50044757  0.50044757  1.00000000  1.0
  Si  Si10  1  0.75000000  0.75000000  0.00000000  1.0
  Ge  Ge11  1  0.25000000  0.25000000  0.00000000  1.0
  B  B12  1  0.61541424  0.11541424  0.73082848  1.0
  B  B13  1  0.11541424  0.38458576  0.50000000  1.0
  B  B14  1  0.88458576  0.61541424  0.50000000  1.0
  B  B15  1  0.38458576  0.88458576  0.26917152  1.0
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