V10SiGeB4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3204010 · 空间群: I422 (#97)

Materials Project API

基础信息

化学式

V10SiGeB4

MP-ID

mp-3204010

元素数

位点数

密度

6.0402

g/cm³

体积

179.63

Å³

晶胞参数 a

6.7567

晶胞参数 b

6.7567

晶胞参数 c

6.7567

α 角

129.38

β 角

129.38

γ 角

74.40

空间群

I422

点群

422

晶体系统

Tetragonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
17.42	5.0904	12.2	(1,0,-1)
21.76	4.0851	9.2	(0,0,1)
21.76	4.0851	9.2	(1,-1,0)
29.30	3.0479	1.4	(2,1,-2)
29.30	3.0479	4.1	(1,2,-2)
33.30	2.6909	8.7	(2,2,-2)
35.74	2.5123	53.2	(1,0,-2)
35.74	2.5123	31.9	(2,-1,0)
40.13	2.2472	17.7	(2,2,-3)
40.13	2.2472	53.0	(3,1,-2)
43.15	2.0966	40.6	(2,1,-3)
43.15	2.0966	67.6	(3,0,-1)
44.35	2.0426	33.4	(0,0,2)
44.94	2.0172	1.3	(3,2,-3)
46.10	1.9690	100.0	(3,1,-3)
47.99	1.8956	1.3	(2,-1,-2)
49.92	1.8269	39.0	(1,-1,2)
49.92	1.8269	39.0	(2,-2,1)
50.90	1.7939	3.7	(3,3,-3)
55.57	1.6539	3.6	(3,2,-4)
55.57	1.6539	10.7	(4,1,-3)
55.98	1.6425	1.2	(3,3,-4)
56.57	1.6270	1.6	(4,0,-2)
60.78	1.5240	1.0	(4,2,-4)

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能量属性

形成能/原子

-0.70339

eV/atom

能量/原子

-12.76133

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-12.7613

eV/atom

体积/原子

11.23

Å³

c/a 比

1.0000

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0000

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

V · 0.625

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.375

间隙分数

0.313

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

0.9869

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.2051

J/mol·K

Ω 参数

0.3792

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

15.364%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.1874

越小混合越稳定

VEC

4.375

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-46.148

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7119

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahahre

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3204010

参考引用

The crystal structure and related material properties of V10SiGeB4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3204010, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_V10SiGeB4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.75664669
_cell_length_b   6.75664628
_cell_length_c   6.75664734
_cell_angle_alpha   129.37917255
_cell_angle_beta   129.37917460
_cell_angle_gamma   74.40122799
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V10SiGeB4
_chemical_formula_sum   'V10 Si1 Ge1 B4'
_cell_volume   179.62611438
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.53548680  0.69731718  0.50513673  1.0
  V  V1  1  0.03035007  0.53548680  0.83816961  1.0
  V  V2  1  0.69731718  0.19217945  0.16183039  1.0
  V  V3  1  0.96451320  0.46964993  0.16183039  1.0
  V  V4  1  0.19217945  0.03035007  0.49486327  1.0
  V  V5  1  0.46964993  0.30782055  0.50513673  1.0
  V  V6  1  0.80268282  0.96451320  0.49486327  1.0
  V  V7  1  0.30782055  0.80268282  0.83816961  1.0
  V  V8  1  0.99955243  0.99955243  0.00000000  1.0
  V  V9  1  0.50044757  0.50044757  1.00000000  1.0
  Si  Si10  1  0.75000000  0.75000000  0.00000000  1.0
  Ge  Ge11  1  0.25000000  0.25000000  0.00000000  1.0
  B  B12  1  0.61541424  0.11541424  0.73082848  1.0
  B  B13  1  0.11541424  0.38458576  0.50000000  1.0
  B  B14  1  0.88458576  0.61541424  0.50000000  1.0
  B  B15  1  0.38458576  0.88458576  0.26917152  1.0

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