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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

BeV8SiSb4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3204173 · 空间群: I422 (#97)

基础信息

化学式
BeV8SiSb4
MP-ID
mp-3204173
元素数
4
位点数
14
密度
6.9762
g/cm³
体积
221.76
ų
晶胞参数 a
7.3511
Å
晶胞参数 b
7.3511
Å
晶胞参数 c
7.3511
Å
α 角
95.46
°
β 角
95.46
°
γ 角
144.06
°
空间群
I422
点群
422
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.31245
eV/atom
能量/原子
-16.64485
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-16.6448
eV/atom
体积/原子
15.84
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.571
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.429
间隙分数
0.071
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0547
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.7689
J/mol·K
Ω 参数
3.2432
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
7.047%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1940
越小混合越稳定
VEC
4.714
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-4.698
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7608
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3204173
参考引用

The crystal structure and related material properties of BeV8SiSb4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3204173, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_BeV8SiSb4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.35114285
_cell_length_b   7.35114404
_cell_length_c   7.35114377
_cell_angle_alpha   95.46049205
_cell_angle_beta   95.46049694
_cell_angle_gamma   144.06478234
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   BeV8SiSb4
_chemical_formula_sum   'Be1 V8 Si1 Sb4'
_cell_volume   221.76488812
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Be  Be0  1  0.25000000  0.25000000  0.00000000  1.0
  V  V1  1  0.92613584  0.80873067  0.71879918  1.0
  V  V2  1  0.80873067  0.08993149  0.88259482  1.0
  V  V3  1  0.41006851  0.69126933  0.11740518  1.0
  V  V4  1  0.57386416  0.29266333  0.88259482  1.0
  V  V5  1  0.69126933  0.57386416  0.28120082  1.0
  V  V6  1  0.29266333  0.41006851  0.71879918  1.0
  V  V7  1  0.20733667  0.92613584  0.11740518  1.0
  V  V8  1  0.08993149  0.20733667  0.28120082  1.0
  Si  Si9  1  0.75000000  0.75000000  0.00000000  1.0
  Sb  Sb10  1  0.64345170  0.85654830  0.50000000  1.0
  Sb  Sb11  1  0.14345170  0.64345170  0.78690339  1.0
  Sb  Sb12  1  0.85654830  0.35654830  0.21309561  1.0
  Sb  Sb13  1  0.35654830  0.14345170  0.50000000  1.0
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