Ta10GaSi4Ge
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3204759 · 空间群: I422 (#97)
基础信息
化学式
Ta10GaSi4Ge
MP-ID
mp-3204759
元素数
4
位点数
16
密度
13.3370
g/cm³
体积
257.00
ų
晶胞参数 a
6.5710
Å
晶胞参数 b
7.5510
Å
晶胞参数 c
6.5710
Å
α 角
115.79
°
β 角
90.00
°
γ 角
115.79
°
空间群
I422
点群
422
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 24.30 | 3.6626 | 9.0 | (1,0,1) |
| 27.14 | 3.2855 | 1.4 | (2,-1,0) |
| 30.03 | 2.9761 | 6.0 | (0,2,0) |
| 31.09 | 2.8764 | 5.5 | (2,0,0) |
| 31.09 | 2.8764 | 5.5 | (2,-2,0) |
| 31.35 | 2.8530 | 43.0 | (2,-1,1) |
| 35.83 | 2.5061 | 28.6 | (1,1,1) |
| 38.11 | 2.3616 | 100.0 | (2,0,1) |
| 38.76 | 2.3232 | 13.2 | (2,0,-2) |
| 40.91 | 2.2057 | 18.7 | (2,1,0) |
| 40.91 | 2.2057 | 18.7 | (2,-3,0) |
| 43.56 | 2.0779 | 47.9 | (3,-1,-1) |
| 45.73 | 1.9841 | 12.7 | (0,3,0) |
| 49.79 | 1.8313 | 1.2 | (2,0,2) |
| 53.99 | 1.6984 | 1.5 | (2,2,0) |
| 55.98 | 1.6428 | 1.1 | (4,-2,0) |
| 58.27 | 1.5836 | 1.4 | (4,-1,0) |
| 58.42 | 1.5796 | 8.4 | (4,-2,1) |
| 59.70 | 1.5488 | 5.5 | (3,0,-3) |
| 61.46 | 1.5087 | 1.6 | (2,3,-2) |
| 61.91 | 1.4989 | 3.2 | (3,-2,3) |
| 62.41 | 1.4880 | 3.2 | (0,4,0) |
| 62.84 | 1.4789 | 9.0 | (4,-1,1) |
| 62.84 | 1.4789 | 9.0 | (4,-3,-1) |
能量属性
形成能/原子
-0.59408
eV/atom
能量/原子
-34.73959
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-34.7396
eV/atom
体积/原子
16.06
ų
c/a 比
1.0000
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0001
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ta · 0.625
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.375
间隙分数
0.250
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9869
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
8.2051
J/mol·K
Ω 参数
0.6353
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
9.244%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1985
越小混合越稳定
VEC
4.563
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-33.225
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7119
固溶体倾向
0
相趋势
AM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3204759
参考引用
The crystal structure and related material properties of Ta10GaSi4Ge were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3204759, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ta10GaSi4Ge
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 6.57100847
_cell_length_b 7.55098844
_cell_length_c 6.57100847
_cell_angle_alpha 115.79223595
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 115.79223595
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Ta10GaSi4Ge
_chemical_formula_sum 'Ta10 Ga1 Si4 Ge1'
_cell_volume 257.00380772
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ta Ta0 1 0.00047751 0.00095503 0.00047751 1.0
Ta Ta1 1 0.49952249 0.99904497 0.49952249 1.0
Ta Ta2 1 0.51543321 0.70257758 0.68791525 1.0
Ta Ta3 1 0.18714438 0.70257758 0.01466233 1.0
Ta Ta4 1 0.68791525 0.70257758 0.18714438 1.0
Ta Ta5 1 0.01466233 0.70257758 0.51543321 1.0
Ta Ta6 1 0.48533767 0.29742242 0.31285562 1.0
Ta Ta7 1 0.81208475 0.29742242 0.98456679 1.0
Ta Ta8 1 0.31285562 0.29742242 0.81208475 1.0
Ta Ta9 1 0.98456679 0.29742242 0.48533767 1.0
Ga Ga10 1 0.25000000 0.50000000 0.25000000 1.0
Si Si11 1 0.87006562 0.00000000 0.62993438 1.0
Si Si12 1 0.12993438 0.00000000 0.37006562 1.0
Si Si13 1 0.62993438 0.00000000 0.12993438 1.0
Si Si14 1 0.37006562 1.00000000 0.87006562 1.0
Ge Ge15 1 0.75000000 0.50000000 0.75000000 1.0
