导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Y4Si4TcOs

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3205090 · 空间群: Cm (#8)

基础信息

化学式
Y4Si4TcOs
MP-ID
mp-3205090
元素数
4
位点数
10
密度
6.2902
g/cm³
体积
199.63
ų
晶胞参数 a
5.7632
Å
晶胞参数 b
5.7632
Å
晶胞参数 c
10.0479
Å
α 角
116.61
°
β 角
116.61
°
γ 角
43.04
°
空间群
Cm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.84705
eV/atom
能量/原子
-20.37698
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-20.3770
eV/atom
体积/原子
19.96
ų
c/a 比
1.7435

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Y · 0.400
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.600
间隙分数
0.400
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1936
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.9232
J/mol·K
Ω 参数
0.5787
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
19.676%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3680
越小混合越稳定
VEC
4.100
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-33.748
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8610
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3205090
参考引用

The crystal structure and related material properties of Y4Si4TcOs were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3205090, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Y4Si4TcOs
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   5.76316188
_cell_length_b   5.76316149
_cell_length_c   10.04784666
_cell_angle_alpha   116.61217245
_cell_angle_beta   116.61218247
_cell_angle_gamma   43.03957174
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Y4Si4TcOs
_chemical_formula_sum   'Y4 Si4 Tc1 Os1'
_cell_volume   199.62754842
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Y  Y0  1  0.18491887  0.18491887  0.10863150  1.0
  Y  Y1  1  0.99698462  0.99698462  0.32378080  1.0
  Y  Y2  1  0.00617608  0.00617608  0.67731928  1.0
  Y  Y3  1  0.81275008  0.81275008  0.88842365  1.0
  Si  Si4  1  0.49900341  0.49900341  0.12245820  1.0
  Si  Si5  1  0.35279367  0.35279367  0.44010866  1.0
  Si  Si6  1  0.64827258  0.64827258  0.56306425  1.0
  Si  Si7  1  0.49963501  0.49963501  0.87431661  1.0
  Tc  Tc8  1  0.72861170  0.72861170  0.37267148  1.0
  Os  Os9  1  0.27085597  0.27085597  0.62922656  1.0
获取直接链接