Ta4VGaSi2
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3206835 · 空间群: I4/mcm (#140)
基础信息
化学式
Ta4VGaSi2
MP-ID
mp-3206835
元素数
4
位点数
16
密度
12.0556
g/cm³
体积
248.11
ų
晶胞参数 a
7.5138
Å
晶胞参数 b
7.5138
Å
晶胞参数 c
7.5138
Å
α 角
129.21
°
β 角
129.21
°
γ 角
74.67
°
空间群
I4/mcm
点群
4/mmm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 14.83 | 5.9744 | 17.7 | (1,1,-1) |
| 19.48 | 4.5568 | 5.7 | (0,0,1) |
| 27.69 | 3.2221 | 7.7 | (1,-1,-1) |
| 27.69 | 3.2221 | 7.7 | (1,-1,1) |
| 29.91 | 2.9872 | 22.3 | (2,2,-2) |
| 31.55 | 2.8360 | 2.1 | (2,0,0) |
| 31.94 | 2.8016 | 68.7 | (1,0,1) |
| 35.95 | 2.4982 | 10.5 | (2,2,-3) |
| 35.95 | 2.4982 | 10.5 | (3,1,-2) |
| 38.56 | 2.3348 | 60.0 | (1,2,0) |
| 38.56 | 2.3348 | 100.0 | (2,1,0) |
| 39.55 | 2.2784 | 5.0 | (0,0,2) |
| 39.55 | 2.2784 | 5.0 | (2,-2,0) |
| 41.21 | 2.1906 | 35.5 | (3,1,-1) |
| 44.46 | 2.0379 | 23.9 | (1,-1,2) |
| 44.46 | 2.0379 | 23.9 | (2,-2,1) |
| 45.55 | 1.9915 | 13.9 | (3,3,-3) |
| 47.12 | 1.9287 | 3.0 | (2,0,1) |
| 49.55 | 1.8396 | 1.2 | (3,2,-1) |
| 49.98 | 1.8248 | 4.7 | (3,3,-4) |
| 54.14 | 1.6940 | 8.5 | (4,2,-2) |
| 54.51 | 1.6834 | 4.3 | (3,1,0) |
| 57.18 | 1.6111 | 4.6 | (2,-2,2) |
| 59.66 | 1.5498 | 13.4 | (2,-1,2) |
能量属性
形成能/原子
-0.58923
eV/atom
能量/原子
-30.27013
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-30.2701
eV/atom
体积/原子
15.51
ų
c/a 比
1.0000
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0001
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ta · 0.500
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.500
间隙分数
0.250
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2130
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
10.0849
J/mol·K
Ω 参数
0.7551
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
8.735%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1735
越小混合越稳定
VEC
4.500
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-31.754
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8750
固溶体倾向
0
相趋势
AM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3206835
参考引用
The crystal structure and related material properties of Ta4VGaSi2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3206835, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ta4VGaSi2
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 7.51381792
_cell_length_b 7.51381801
_cell_length_c 7.51381831
_cell_angle_alpha 129.21385079
_cell_angle_beta 129.21385176
_cell_angle_gamma 74.66671722
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Ta4VGaSi2
_chemical_formula_sum 'Ta8 V2 Ga2 Si4'
_cell_volume 248.10589377
_cell_formula_units_Z 2
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ta Ta0 1 0.01633281 0.51633281 0.82881401 1.0
Ta Ta1 1 0.68751880 0.18751880 0.17118599 1.0
Ta Ta2 1 0.51633281 0.68751880 0.50000000 1.0
Ta Ta3 1 0.18751880 0.01633281 0.50000000 1.0
Ta Ta4 1 0.98366719 0.48366719 0.17118599 1.0
Ta Ta5 1 0.31248120 0.81248120 0.82881401 1.0
Ta Ta6 1 0.48366719 0.31248120 0.50000000 1.0
Ta Ta7 1 0.81248120 0.98366719 0.50000000 1.0
V V8 1 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1.0
V V9 1 0.50000000 0.50000000 0.00000000 1.0
Ga Ga10 1 0.75000000 0.75000000 0.00000000 1.0
Ga Ga11 1 0.25000000 0.25000000 0.00000000 1.0
Si Si12 1 0.63307767 0.13307767 0.76615435 1.0
Si Si13 1 0.36692233 0.86692233 0.23384565 1.0
Si Si14 1 0.13307767 0.36692233 0.50000000 1.0
Si Si15 1 0.86692233 0.63307767 0.50000000 1.0
