Ta10GaB4As

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3206892 · 空间群: I422 (#97)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ta10GaB4As

MP-ID

mp-3206892

元素数

位点数

密度

14.6043

g/cm³

体积

227.11

Å³

晶胞参数 a

7.3048

晶胞参数 b

7.3048

晶胞参数 c

7.3048

α 角

129.36

β 角

129.36

γ 角

74.43

空间群

I422

点群

422

晶体系统

Tetragonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
20.10	4.4181	1.3	(1,-1,0)
20.10	4.4181	1.3	(0,0,1)
25.31	3.5184	10.7	(2,0,-1)
28.57	3.1241	2.5	(1,-1,1)
30.74	2.9086	19.1	(2,2,-2)
32.53	2.7523	9.8	(2,0,-2)
32.97	2.7170	87.1	(2,-1,-1)
37.00	2.4294	49.0	(3,1,-2)
39.76	2.2671	100.0	(3,0,-2)
40.85	2.2091	19.4	(2,-2,0)
42.46	2.1288	66.4	(3,1,-3)
45.93	1.9759	29.4	(2,-2,1)
45.93	1.9759	29.4	(1,-1,2)
46.85	1.9391	6.8	(3,3,-3)
51.08	1.7881	1.4	(4,1,-3)
51.08	1.7881	9.5	(4,1,-2)
61.46	1.5086	1.1	(1,-3,3)
61.73	1.5027	15.2	(3,-2,-2)
63.13	1.4727	3.3	(3,-3,0)
63.13	1.4727	3.3	(0,0,3)
63.88	1.4573	1.9	(5,1,-3)
64.02	1.4543	10.3	(4,4,-4)
65.32	1.4285	17.7	(5,2,-4)
65.32	1.4285	10.6	(2,5,-3)

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能量属性

形成能/原子

-0.63268

eV/atom

能量/原子

-34.47355

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-34.4736

eV/atom

体积/原子

14.19

Å³

c/a 比

1.0000

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0000

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ta · 0.625

元素家族

5d-TM

溶质分数

0.375

间隙分数

0.250

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

0.9869

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.2051

J/mol·K

Ω 参数

1.7016

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

18.538%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2628

越小混合越稳定

VEC

4.250

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-13.167

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7119

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahalya

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3206892

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ta10GaB4As were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3206892, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ta10GaB4As
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.30481894
_cell_length_b   7.30481878
_cell_length_c   7.30481882
_cell_angle_alpha   129.35964467
_cell_angle_beta   129.35964568
_cell_angle_gamma   74.43257589
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ta10GaB4As
_chemical_formula_sum   'Ta10 Ga1 B4 As1'
_cell_volume   227.10510831
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ta  Ta0  1  0.52895088  0.69721876  0.50051892  1.0
  Ta  Ta1  1  0.19669884  0.02843195  0.49948108  1.0
  Ta  Ta2  1  0.02843195  0.52895088  0.83173312  1.0
  Ta  Ta3  1  0.69721876  0.19669884  0.16826688  1.0
  Ta  Ta4  1  0.47156805  0.30330116  0.50051892  1.0
  Ta  Ta5  1  0.80278124  0.97104912  0.49948108  1.0
  Ta  Ta6  1  0.97104912  0.47156805  0.16826688  1.0
  Ta  Ta7  1  0.30330116  0.80278124  0.83173312  1.0
  Ta  Ta8  1  0.49925754  0.49925754  0.00000000  1.0
  Ta  Ta9  1  0.00074246  0.00074246  1.00000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.25000000  0.25000000  0.00000000  1.0
  B  B11  1  0.88078321  0.61921679  0.50000000  1.0
  B  B12  1  0.11921679  0.38078321  0.50000000  1.0
  B  B13  1  0.38078321  0.88078321  0.26156541  1.0
  B  B14  1  0.61921679  0.11921679  0.73843459  1.0
  As  As15  1  0.75000000  0.75000000  0.00000000  1.0

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