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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

V6Si6Tc5Os7

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3207095 · 空间群: Pm (#6)

基础信息

化学式
V6Si6Tc5Os7
MP-ID
mp-3207095
元素数
4
位点数
24
密度
12.1131
g/cm³
体积
314.72
ų
晶胞参数 a
4.2066
Å
晶胞参数 b
5.9391
Å
晶胞参数 c
12.5972
Å
α 角
89.96
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.54352
eV/atom
能量/原子
-27.12269
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-27.1227
eV/atom
体积/原子
13.11
ų
c/a 比
2.9946

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0178
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000060
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Os · 0.292
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.708
间隙分数
0.250
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3793
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
11.4676
J/mol·K
Ω 参数
1.3583
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
5.882%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2099
越小混合越稳定
VEC
5.625
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-20.584
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9950
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3207095
参考引用

The crystal structure and related material properties of V6Si6Tc5Os7 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3207095, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V6Si6Tc5Os7
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.20661951
_cell_length_b   5.93904571
_cell_length_c   12.59718804
_cell_angle_alpha   89.96062938
_cell_angle_beta   90.00011900
_cell_angle_gamma   90.00005635
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V6Si6Tc5Os7
_chemical_formula_sum   'V6 Si6 Tc5 Os7'
_cell_volume   314.71932388
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.00000037  0.49995309  0.00381444  1.0
  V  V1  1  0.49996095  0.00141407  0.16504009  1.0
  V  V2  1  0.99996054  0.49421283  0.32804102  1.0
  V  V3  1  0.49999640  0.00483277  0.49586281  1.0
  V  V4  1  0.00003414  0.50011606  0.66713240  1.0
  V  V5  1  0.50004730  0.00045271  0.84026458  1.0
  Si  Si6  1  0.00000656  0.99903046  0.00172668  1.0
  Si  Si7  1  0.49996129  0.49999598  0.16603091  1.0
  Si  Si8  1  0.99996084  0.99876188  0.33168364  1.0
  Si  Si9  1  0.49999706  0.50151153  0.49981040  1.0
  Si  Si10  1  0.00004096  0.99937848  0.66665644  1.0
  Si  Si11  1  0.50004047  0.50098729  0.83408837  1.0
  Tc  Tc12  1  0.50000347  0.24959028  0.99698641  1.0
  Tc  Tc13  1  0.50000478  0.75011069  0.99756398  1.0
  Tc  Tc14  1  0.99996261  0.25033441  0.16726996  1.0
  Tc  Tc15  1  0.99996854  0.74880105  0.16810454  1.0
  Tc  Tc16  1  0.49996554  0.24912403  0.33682036  1.0
  Os  Os17  1  0.49996682  0.74890269  0.33657232  1.0
  Os  Os18  1  0.99999339  0.24994424  0.50280989  1.0
  Os  Os19  1  0.99999904  0.75115545  0.50161563  1.0
  Os  Os20  1  0.50002827  0.25083104  0.66646349  1.0
  Os  Os21  1  0.50003455  0.74989802  0.66565514  1.0
  Os  Os22  1  0.00003076  0.24990144  0.83001867  1.0
  Os  Os23  1  0.00003836  0.75076350  0.82996882  1.0
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