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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

TiNb4GaSb2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3207459 · 空间群: I4/mcm (#140)

基础信息

化学式
TiNb4GaSb2
MP-ID
mp-3207459
元素数
4
位点数
16
密度
8.3786
g/cm³
体积
290.44
ų
晶胞参数 a
7.9399
Å
晶胞参数 b
7.9399
Å
晶胞参数 c
7.9399
Å
α 角
96.03
°
β 角
96.03
°
γ 角
142.17
°
空间群
I4/mcm
点群
4/mmm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
11.78 7.5111 2.3 (1,-1,0)
16.69 5.3111 3.6 (1,-1,1)
25.51 3.4912 7.8 (2,-1,0)
26.54 3.3591 2.6 (2,-2,1)
34.85 2.5741 25.5 (1,1,-1)
35.09 2.5570 35.3 (1,0,-3)
35.87 2.5037 11.8 (3,-3,0)
37.88 2.3752 15.7 (3,-3,-1)
37.88 2.3752 15.7 (3,-3,1)
38.88 2.3164 26.1 (2,0,-2)
39.10 2.3039 100.0 (3,-2,1)
42.58 2.1232 17.1 (3,-1,-1)
43.44 2.0832 1.8 (3,-3,2)
48.48 1.8778 1.1 (4,-4,0)
49.30 1.8483 4.8 (3,-1,-3)
49.48 1.8419 13.9 (2,-1,-4)
50.07 1.8217 3.9 (4,-4,-1)
50.07 1.8217 3.9 (4,-4,1)
50.88 1.7947 3.1 (1,1,-4)
50.88 1.7947 9.4 (4,-2,-1)
52.42 1.7456 1.0 (4,-2,0)
61.24 1.5135 1.9 (2,-1,-5)
61.24 1.5135 5.8 (1,-2,5)
61.75 1.5022 6.9 (4,-4,3)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.44403
eV/atom
能量/原子
-22.28521
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-22.2852
eV/atom
体积/原子
18.15
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0062
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000020
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Nb · 0.500
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.500
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2130
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.0849
J/mol·K
Ω 参数
22.9221
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
2.519%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1984
越小混合越稳定
VEC
4.625
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.828
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8750
固溶体倾向
1
相趋势
SS

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3207459
参考引用

The crystal structure and related material properties of TiNb4GaSb2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3207459, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_TiNb4GaSb2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.93989866
_cell_length_b   7.93989849
_cell_length_c   7.93989877
_cell_angle_alpha   96.03305562
_cell_angle_beta   96.03306144
_cell_angle_gamma   142.16640637
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   TiNb4GaSb2
_chemical_formula_sum   'Ti2 Nb8 Ga2 Sb4'
_cell_volume   290.43855549
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ti  Ti0  1  0.25000000  0.75000000  0.50000000  1.0
  Ti  Ti1  1  0.75000000  0.25000000  0.50000000  1.0
  Nb  Nb2  1  0.78263832  0.92548004  0.70812036  1.0
  Nb  Nb3  1  0.92548004  0.21736168  0.14284072  1.0
  Nb  Nb4  1  0.07451996  0.78263832  0.85715928  1.0
  Nb  Nb5  1  0.21736168  0.07451996  0.29187964  1.0
  Nb  Nb6  1  0.57451996  0.71736168  0.29187964  1.0
  Nb  Nb7  1  0.42548004  0.28263832  0.70812036  1.0
  Nb  Nb8  1  0.28263832  0.57451996  0.85715928  1.0
  Nb  Nb9  1  0.71736168  0.42548004  0.14284072  1.0
  Ga  Ga10  1  0.75000000  0.75000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga11  1  0.25000000  0.25000000  0.00000000  1.0
  Sb  Sb12  1  0.33596688  0.83596688  0.17193576  1.0
  Sb  Sb13  1  0.83596688  0.66403312  0.50000000  1.0
  Sb  Sb14  1  0.16403312  0.33596688  0.50000000  1.0
  Sb  Sb15  1  0.66403312  0.16403312  0.82806424  1.0
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