TaNb4GaSi2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3208305 · 空间群: I4/mcm (#140)

Materials Project API

基础信息

化学式

TaNb4GaSi2

MP-ID

mp-3208305

元素数

位点数

密度

8.5643

g/cm³

体积

263.10

Å³

晶胞参数 a

7.5965

晶胞参数 b

7.5965

晶胞参数 c

7.5965

α 角

128.20

β 角

128.20

γ 角

76.30

空间群

I4/mcm

点群

4/mmm

晶体系统

Tetragonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
14.83	5.9738	5.8	(1,1,-1)
18.91	4.6926	29.8	(1,-1,0)
24.12	3.6902	5.9	(1,1,0)
24.12	3.6902	17.6	(2,0,-1)
26.87	3.3182	3.0	(1,-1,1)
30.83	2.9007	14.2	(2,0,0)
30.83	2.9007	14.2	(2,0,-2)
31.05	2.8803	30.9	(2,-1,0)
31.05	2.8803	10.3	(1,0,-2)
35.63	2.5198	58.0	(2,2,-1)
35.63	2.5198	19.3	(2,2,-3)
37.80	2.3798	100.0	(2,1,0)
37.80	2.3798	33.3	(2,1,-3)
38.36	2.3463	39.6	(2,-2,0)
40.64	2.2200	47.4	(3,1,-1)
40.64	2.2200	47.4	(3,1,-3)
41.34	2.1839	2.6	(1,1,1)
43.10	2.0986	54.0	(2,-2,1)
43.10	2.0986	54.0	(2,-2,-1)
45.55	1.9913	20.3	(3,3,-3)
45.83	1.9800	3.4	(2,0,1)
45.83	1.9800	2.1	(3,-1,-2)
48.94	1.8612	1.4	(4,1,-2)
49.39	1.8451	2.5	(2,2,0)

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能量属性

形成能/原子

-0.64721

eV/atom

能量/原子

-22.71202

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-22.7120

eV/atom

体积/原子

16.44

Å³

c/a 比

1.0000

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0000

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Nb · 0.500

元素家族

4d-TM

溶质分数

0.500

间隙分数

0.250

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2130

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.0849

J/mol·K

Ω 参数

0.6991

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

8.945%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.1462

越小混合越稳定

VEC

4.500

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-32.399

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8750

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahaoaj

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3208305

参考引用

The crystal structure and related material properties of TaNb4GaSi2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3208305, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_TaNb4GaSi2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.59652848
_cell_length_b   7.59652835
_cell_length_c   7.59652707
_cell_angle_alpha   128.19977719
_cell_angle_beta   128.19977411
_cell_angle_gamma   76.30161745
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   TaNb4GaSi2
_chemical_formula_sum   'Ta2 Nb8 Ga2 Si4'
_cell_volume   263.09606609
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ta  Ta0  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Ta  Ta1  1  0.50000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Nb  Nb2  1  0.01853872  0.18685170  0.50000000  1.0
  Nb  Nb3  1  0.68685170  0.51853872  0.50000000  1.0
  Nb  Nb4  1  0.51853872  0.01853872  0.83168902  1.0
  Nb  Nb5  1  0.18685170  0.68685170  0.16831098  1.0
  Nb  Nb6  1  0.98146128  0.81314830  0.50000000  1.0
  Nb  Nb7  1  0.31314830  0.48146128  0.50000000  1.0
  Nb  Nb8  1  0.48146128  0.98146128  0.16831098  1.0
  Nb  Nb9  1  0.81314830  0.31314830  0.83168902  1.0
  Ga  Ga10  1  0.75000000  0.75000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga11  1  0.25000000  0.25000000  0.00000000  1.0
  Si  Si12  1  0.37115842  0.12884158  0.50000000  1.0
  Si  Si13  1  0.62884158  0.87115842  0.50000000  1.0
  Si  Si14  1  0.87115842  0.37115842  0.24231584  1.0
  Si  Si15  1  0.12884158  0.62884158  0.75768416  1.0

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