导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ta8V2GaSi5

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3208451 · 空间群: I422 (#97)

基础信息

化学式
Ta8V2GaSi5
MP-ID
mp-3208451
元素数
4
位点数
16
密度
11.8911
g/cm³
体积
245.72
ų
晶胞参数 a
7.4970
Å
晶胞参数 b
7.4970
Å
晶胞参数 c
7.4970
Å
α 角
129.33
°
β 角
129.33
°
γ 角
74.49
°
空间群
I422
点群
422
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
14.84 5.9681 12.3 (1,1,-1)
19.57 4.5372 7.1 (0,0,1)
27.81 3.2083 15.8 (1,-1,1)
29.94 2.9840 19.8 (2,2,-2)
31.66 2.8259 2.6 (2,0,-2)
32.08 2.7901 56.4 (2,-1,0)
36.02 2.4932 13.9 (3,1,-2)
38.69 2.3274 100.0 (2,1,-3)
38.69 2.3274 33.3 (1,2,0)
39.73 2.2686 7.2 (0,0,2)
41.32 2.1850 26.1 (3,1,-1)
44.66 2.0291 8.9 (1,-1,2)
44.66 2.0291 26.7 (2,-2,1)
45.60 1.9894 13.1 (3,3,-3)
47.32 1.9211 1.6 (2,0,1)
50.07 1.8219 3.2 (4,2,-3)
54.26 1.6907 6.4 (4,2,-2)
54.70 1.6779 4.9 (4,0,-1)
57.45 1.6042 4.1 (2,-2,2)
59.94 1.5432 11.0 (2,-1,2)
61.29 1.5124 12.3 (0,0,3)
62.22 1.4920 2.3 (4,4,-4)
63.45 1.4661 1.5 (1,1,-4)
63.46 1.4659 24.0 (5,2,-3)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.63498
eV/atom
能量/原子
-30.14907
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-30.1491
eV/atom
体积/原子
15.36
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0003
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ta · 0.500
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.500
间隙分数
0.313
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1433
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.5052
J/mol·K
Ω 参数
0.5978
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
9.440%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1798
越小混合越稳定
VEC
4.563
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-39.181
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8247
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3208451
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ta8V2GaSi5 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3208451, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ta8V2GaSi5
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.49695110
_cell_length_b   7.49695076
_cell_length_c   7.49695111
_cell_angle_alpha   129.32519886
_cell_angle_beta   129.32519629
_cell_angle_gamma   74.48787669
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ta8V2GaSi5
_chemical_formula_sum   'Ta8 V2 Ga1 Si5'
_cell_volume   245.72252530
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ta  Ta0  1  0.01889596  0.51303463  0.82982725  1.0
  Ta  Ta1  1  0.68320738  0.18906970  0.17017275  1.0
  Ta  Ta2  1  0.51303463  0.68320738  0.49413768  1.0
  Ta  Ta3  1  0.18906970  0.01889596  0.50586232  1.0
  Ta  Ta4  1  0.98696537  0.48110404  0.17017275  1.0
  Ta  Ta5  1  0.31093030  0.81679262  0.82982725  1.0
  Ta  Ta6  1  0.48110404  0.31093030  0.49413768  1.0
  Ta  Ta7  1  0.81679262  0.98696537  0.50586232  1.0
  V  V8  1  0.00193497  0.00193497  0.00000000  1.0
  V  V9  1  0.49806503  0.49806503  1.00000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.75000000  0.75000000  0.00000000  1.0
  Si  Si11  1  0.25000000  0.25000000  0.00000000  1.0
  Si  Si12  1  0.63292323  0.13292323  0.76584646  1.0
  Si  Si13  1  0.36707677  0.86707677  0.23415354  1.0
  Si  Si14  1  0.13292323  0.36707677  0.50000000  1.0
  Si  Si15  1  0.86707677  0.63292323  0.50000000  1.0
获取直接链接