V10Ga4Si2N
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3208702 · 空间群: Cm (#8)
基础信息
化学式
V10Ga4Si2N
MP-ID
mp-3208702
元素数
4
位点数
17
密度
6.5238
g/cm³
体积
218.51
ų
晶胞参数 a
7.2229
Å
晶胞参数 b
7.2379
Å
晶胞参数 c
4.8298
Å
α 角
89.94
°
β 角
90.03
°
γ 角
120.07
°
空间群
Cm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-
能量属性
形成能/原子
-0.54352
eV/atom
能量/原子
-13.09312
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-13.0931
eV/atom
体积/原子
12.85
ų
c/a 比
0.6687
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0161
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000070
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.588
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.412
间隙分数
0.176
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0710
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
8.9044
J/mol·K
Ω 参数
0.4218
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
11.297%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3294
越小混合越稳定
VEC
4.412
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-32.881
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7726
固溶体倾向
0
相趋势
AM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3208702
参考引用
The crystal structure and related material properties of V10Ga4Si2N were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3208702, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V10Ga4Si2N
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 7.22286231
_cell_length_b 7.23785946
_cell_length_c 4.82980363
_cell_angle_alpha 89.94067346
_cell_angle_beta 90.02972552
_cell_angle_gamma 120.06871747
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural V10Ga4Si2N
_chemical_formula_sum 'V10 Ga4 Si2 N1'
_cell_volume 218.51346962
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
V V0 1 0.00000000 0.77368313 0.25376525 1.0
V V1 1 0.23353580 0.23346165 0.25494741 1.0
V V2 1 0.76646420 0.99992585 0.25494741 1.0
V V3 1 0.00000000 0.22752423 0.74424751 1.0
V V4 1 0.76647530 0.77115690 0.74382243 1.0
V V5 1 0.23352470 0.00468160 0.74382243 1.0
V V6 1 0.34001699 0.66761782 0.50463475 1.0
V V7 1 0.65998301 0.32759883 0.50463475 1.0
V V8 1 0.66106041 0.32816801 0.99577999 1.0
V V9 1 0.33893959 0.66710860 0.99577999 1.0
Ga Ga10 1 0.00000000 0.40664117 0.24543522 1.0
Ga Ga11 1 0.59877585 0.59515186 0.24389915 1.0
Ga Ga12 1 0.40122415 0.99637601 0.24389915 1.0
Ga Ga13 1 1.00000000 0.59757135 0.75475907 1.0
Si Si14 1 0.40215028 0.40289598 0.75885332 1.0
Si Si15 1 0.59784972 0.00074670 0.75885332 1.0
N N16 1 1.00000000 0.99968932 0.49791587 1.0